位错蚀坑相关论文
本文报道了以升华－蒸馏法提纯碘化汞的结果。用纯化后的原料长出碘化汞单晶体，对晶体的性能进行了观测，表明采用这种方法所获得的原料......
窄禁带、含Ｈｇ 的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，......
Fe-23Cr-6Al合金在300～1300℃空气中氧化时,表面形成的位错蚀坑因位错运动而发展成蚀槽,其上的氧化膜就形成皱褶。稀土阻止位错蚀坑......
本文研究了含微量 Mg—Nd、Cd 的低压(16V)电容器阳极铝箔比电容。实验表明:成份位于一定范围的退火 Al-Mg-Nd 和 Al-Cd 合金箔,与......
一、前言随着电子技术的不断发展,电子设备正日趋小型化。因此,对电子元件体积的要求也越来越小。目前电子元件工厂正加紧研制小......
本文报道利用光学显微法和同步辐射白光 X射线形貌术对非线性光学晶体 LBO缺陷的研究结果。利用光学显微法观测 ,得到多个面不同形......
用高频感应提拉法生长了掺Ｙｂ３＋氟磷酸钙（Ｙｂ∶ＦＡＰ）晶体，获得了理想的生长工艺参数．为消除晶体中通常存在的宏观缺陷，研究了晶体的退火条件．生长的晶......
ＬｉＡｌＯ２和ＬｉＧａＯ２是目前找到的和ＧａＮ晶格失配率最小的两种晶体，其失配率分别为１．４％和０．２％．本研究分别利用温梯法和提拉法成功地生长出了ＬｉＡｌＯ２和ＬｉＧａＯ２单晶．通过化学侵蚀、光......
掺等电子杂质铟生长了低位错密度的半绝缘砷化镓晶体.晶体中位错腐蚀坑密度达到约10~2/cm~2数量.晶体中没有观察到铟的微沉淀物.
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本文介绍Bi_(24)Si_2O_(40)单晶的缺陷种类、形状和检测方法,给出了缺陷的对应照片,从单晶的结构原理对照片中的缺陷形状进行了分......
以配比为 150mL饱和重铬酸钾水溶液比20mL HCl的腐蚀剂,对Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s为单位,连续腐蚀了5次,对每次腐蚀后的表面形貌......
期刊
对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂，浸蚀时间，材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验．结果表明，在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20g（FeCl3）：5ml（HCl）：10......
掺钕钨酸钇钠晶体Nd：NaY（WO4）2是一种性能优良的激光晶体。对该晶体中的包裹物、生长台阶等缺陷进行了观察，并分析了缺陷产生的原因。......
在传统实验的基础上，利用ZnWO4晶体，同学们自己动手制备位错蚀坑样品，效果非常理想；实际运作过程锻炼了同学们的动手、分析能力，以及有......
本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的Y2SiO5(YSO)晶体,经过定向、切割、抛光后得到样品.经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描......
采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生......
