化学气相沉积(CVD)相关论文
二维材料又称二维原子晶体材料,其结构特性使载流子迁移和热量扩散都被限制在二维平面内,因此令这种材料拥有许多优异的性质,如高......
GaN的禁带宽度是3.4 eV,是一种直接宽带隙半导体材料,有稳定的化学和物理性质。另外,GaN材料的功函数为4.1 eV及电子亲和势为2.7-3......
半导体芯片制造业的特征尺寸不断缩小,已经接近传统硅基材料的物理极限。二维材料由于其原子层厚度而备受关注,二硒化钼由于其独特......
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近几年来,过渡金属硫族化合物(TMDs)由于其优异的机械、电学、光学和热学等物理性质而越来越引人关注。MoTe2是TMDs材料的一种,有......
通过电弧等离子体法制备、合成了 SiC、TiC纳米粒子,通过阳极氧化法与磁控溅射制备了镀铜TiO2纳米管阵列,以此为催化剂,通过化学气......
作为第一种被发现的二维材料,石墨烯凭借其超高的载流子迁移率、超强的机械性能、良好的导热性、高透光率等特点引起了研究人员的......
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介绍了化学气相沉积(CVD)制备难熔金属Ta涂层的一般原理及方法.利用TaCl5-H2-Ar反应体系,采用化学气相沉积法在不锈钢基体表面沉积......
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主要研究了硫化钨(WS2)/硫化钼(MoS2)薄膜异质结的制备及其光电特性.首先以WS2粉末为原料,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积......
纳米半导体TiO薄膜具有良好的光催化性能,将TiO薄膜镀在玻璃上使玻璃具有消毒、杀菌、防雾、自清洁等一系列功能,可以广泛应用于建......
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简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率。回顾了金刚石器件的研究进程......
研究以环已烷为前驱体采用化学气相沉积法制备纳米碳管阵列.将催化剂二茂铁定量溶解在环己烷中,通过载气夹带进入反应器中,采用化......
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用一台常规的真空镀膜机改建为化学气相沉积 (CVD)系统 ,并用以制备金刚石薄膜 .采用SEM、XRD、Raman测试表明 ,金刚石薄膜质量较......
用多孔氧化铝（ＡＡＯ）模板（孔径约 ２５０ ｎｍ，孔密度约 ５．３×１０~８ｃｍ~(－２)，厚度约 ６０μｍ）进行化学气相沉积（ＣＶＤ），成功地制备出大面积高度取向的碳纳米管有序阵列膜．用透射电子......
以丙烯(C3H6)和氮气(N2)为反应气,用低压化学气相沉积(LPCVD)法在SiC纤维表面制备了热解碳层。考察了碳层厚度对纤维介电性能、反......
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采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SE......
以二甲基二硫化物(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为反应物在25Cr35Ni合金基体上化学气相沉积SiO2/S复合涂层.应用热力学势函数法对SiO2......
采用化学气相沉积方法,以金做催化剂,在Si (100)衬底上制备了掺AlZnO纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在30......
介绍了各种精密异型复合触点带材的生产工艺及使用材料,指出了其优缺点,并对异型复合触点带材的开发前景及模式进行了展望。......
采用低温常压化学气相沉积(CVD)方法在铝基底上制备了硅氧化物陶瓷膜层.使用SEM、XPS、AFM、XRD、HRTEM和UV-VIS等技术分析了膜层......
金刚石薄膜刀具课程的开发，应该紧紧围绕金刚石薄膜的制备等典型工作任务来进行。从课程地位、课程目标和课程标准等因素入手，将课程......
利用化学气相沉积（CVD）法制备了硅/石墨/热解碳复合材料。用XRD、SEM和恒流充放电等测试,分析了制备工艺对复合材料电化学性能的影响......
对二氧化硅薄膜沉积技术中的主要化学方法、化学气相沉积等进行讨论,综述不同温度条件下各种沉积的方法及其发生的主要化学反应。......
针灸治疗是中医治疗疾病的一种有效方法，随着现代针灸的新科技与经络穴位的结合，传统的毫针逐渐发展到了脉冲电针、电热针等。该文提......
采用化学气相沉积（CVD）渗硅处理工艺连续制备6．5％Si高硅钢，具有优质的软磁性能，通过理论研究化学反应并且用简单的试验设备做进一步的探......
采用化学气相沉积（CVD）法，在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层，研究了制备温度对c涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性......
为了满足半导体产业发展的需求,本文介绍了一套基于工业PC和PLC的真空设备远程监控系统。内容包括CVD真空镀膜监控系统的工艺,结构......
采用CVD技术制备了不同形貌的ZnO纳米棒．并利用XRD、SEM、能谱仪，荧光光谱仪对比研究了其表面结构、成份、相结构及光致发光特性．结果......
概述了CVD纳米金刚石涂层工具的研究开发现状、存在的主要问题,重点介绍了硬质合金基体表面预处理方法及纳米金刚石生长工艺参数对......
石墨烯自发现以来因其杰出的理化性能广受关注,制备石墨烯的方法层出不穷。目前,采用化学气相沉积(CVD)技术实现了规模化制备高质......
化学气相沉积法制备金刚石涂层硬质合金刀具综合了金刚石与硬质合金的优异性能,被广泛应用于切削难加工材料。金刚石与基体界面结......
用化学气相沉积法（CVD），在生长温度为600、650和700℃条件下，未采用任何催化剂制备了Mn掺杂ZnO纳米棒。研究发现，随着生长温度的升高，样......
本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋......
对多种化学气相沉积工艺进行了分析对比，指出在炭／炭复合材料的研制与开发中，以等温等压（ICVD）的工艺为最优。该工艺能很好地控制工艺参......
采用低压化学气相沉积（LPCVD）在镍片上制备了厚度在400-1000μm范围的碳纳米管（CNTs）薄膜，研究了碳源（乙炔）流量对碳纳米管薄膜形貌和结构......
采用硅烷和氨气在立式双温区流态床中化学气相沉积，制备了形状规则的球状无定形氮化硅纳米粉体，并利用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和......
采用化学气相沉积法(CVD)制备单质B和BC_x分别对SiC涂层进行改性,在二维碳纤维增强碳化硅(2D C/SiC)复合材料表面制备SiC/B/SiC和S......
热丝CVD法沉积金刚石厚膜为全晶质纯多晶金刚石材料，是制造切削刀具的理想材料。本文针对国内外CVD金刚石厚膜焊接刀具研究与应用中......
以FeC2O4·2H2O、Li2CO3和NH4H2PO4为原料，采用分步引入碳源的方式，在前驱体中加入蔗糖预烧，在烧结过程中分别引入甲炕和甲苯蒸气......
论述了CVD金刚石涂层硬质合金刀具的研究开发现状、存在的主要问题，重点介绍了硬质合金基体表面预处理方法及工艺。......
基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外......
运用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,CVD）技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜（OM）......
以BCl3-C3H6-H2为气相反应体系,采用低压化学气相沉积制备硼掺碳涂层。研究了Ar气稀释流量对硼掺碳涂层沉积速度、形貌、组成和键......
期刊
未来电网的快速发展对半导体材料特性,尤其是电学特性提出了更高要求。结合电网应用,通过比较金刚石及其他半导体材料(包括Si,4H-S......
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H2S是气体绝缘组合电器(gas insulated switchgear,GIS)内部一些潜伏性绝缘缺陷产生放电的重要的特征组分气体之一,检测它对设备运......
在氩气气氛中，利用物理蒸发高纯Zn粉和SiO2纳米粉混合物的方法，控制温度在650℃时，获得了大量的六方相ZnO纳米线，直径约40hm，这和先前报......
二维材料（2D）具有单原子层级的厚度及稳定的物化性能。通过将不同的2D材料以平面或者垂直堆叠的形式组合成不同的异质材料,可以得到......
纳米电极通常指至少有一维尺寸在100纳米以内的伏安电极。区别于大电极(毫米-厘米尺度),纳米电极具有独特的电化学行为。在基础电......
金刚石是世界上物理和化学性能最优异的材料之一,它的全方位的优良特性显示它具有广阔的应用前景和很大的潜力市场,它被材料学家誉......
文章是一篇关于化学气相沉积金刚石膜在工程应用方面的简要闸述。由文中引用的应用实例可见,从机械加工用的刀具到地质勘探用的钻......
采用热丝化学气相沉积法（HFCVD）在硬质合金基体上进行金刚石的形核生长,使用扫描电镜（SEM）对金刚石涂层形核情况进行分析,研究了不同形......
