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随着集成电路工艺特征尺寸不断缩小，芯片内部速度不断增加，时延缺陷(即影响电路定时行为但不改变电路在静态条件下的逻辑操作的缺陷)......
随着集成电路制造工艺向超深亚微米和纳米级推进，芯片集成度大幅提高，嵌入式随机访问存储器(RAM)逐渐成为集成电路芯片的主体。由于......
随着处理器设计工作频率提高，设计规模的增大，以及采用高性能的纳米工艺，因制造产生的故障概率增大。扫描链技术提供了一种检测生......
提出了一种采用实速测试方式测试SRAM性能参数及可靠性的方案。该方案在内建自测试(BIST)电路的基础上,通过增加一个超高速ADPLL为......
提出了一种采用片内PLL实现实速扫描测试的方案.在该方案中,移入测试向量时使用测试仪提供的时钟,激励施加和响应捕获采用片内PLL......
分析了不同测试项目对于一款采用0.18μm工艺流片的高性能通用处理器芯片失效的发现能力.以失效分析的数据作为基本数据结构,提出......
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