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本文以RF接口模块的后端物理设计与实现为例,使用0.18um工艺,阐述了在集成电路EDA设计工具的辅助下布局布线的具体实现方法,通过对......
研究了芯片规模大结构RC寄生参数的快速提取方法,然后提出一种模型降阶方案.由于提取寄生电容过程需要考虑周围临近的互连线,芯片......
为研究集成电路中金属互连线的寄生效应对电路性能产生的影响,分析了三维边界元计算的预条件迭代求解问题,针对寄生参数提取中涉及......
随着超大规模集成电路制造进入深亚微米和超深亚微米阶段,互连线的工艺变化已成为影响集成电路性能的重要因素。针对该问题,结合作者......
电感元件在微波多芯片组件(MCM)设计中具有重要地位,其基于参数提取的宏模型是系统仿真的关键。介绍了修正π平面螺旋电感高频等效电......
随着印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)板级电路不断向高频、高密的方向发展,电子产品的电磁兼容(Electromagnetic Compatibi......
集成电路特征尺寸缩小到100纳米以下之后,多层互连线寄生电容、寄生电阻引入的延时开始超过MOSFET栅电容延迟,成为影响电路总体延......
针对当前数字化采集中高阻探头补偿方式存在的高频输入阻抗低的问题,提出一种数字补偿方法。根据探头的寄生参数模型,建立优化问题......
时序信息是标准单元特征化参数的重要组成部分.针对全定制标准单元的版图,在进行LVS验证之后,采用寄生参数提取工具对其进行晶体管......
集成电路规模庞大、结构复杂,随着集成电路制造工艺进入纳米尺度,复杂制造工艺中的工艺波动严重影响电路性能,给集成电路设计带来......
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当集成电路设计进入20纳米技术节点的时候,其对应的半间距(Half Pitch,HP)是32纳米,而最先进浸入式光刻系统只能支持最大半间距40......
随着半导体集成电路进入纳米工艺,可制造性设计需求进一步突显出来。生产制造过程中存在的各种工艺参数变异或偏离问题使得成品率......