测试芯片相关论文
本文通过设计ESD测试芯片,验证四种ESD防护技术及其组合.芯片的整体构架采用锁相环加状态机的测试结构,最后流片采用DIP20封装.......
在全定制电路设计中，工艺开发包是连接电路设计工程师和半导体制造商之间的桥梁。混合信号设计复杂度的日趋增加，开发工艺开发包并建......
武汉新芯集成电路制造有限公司（ XMC ），一家迅速发展的300 MM 集成电路制造商，近日宣布其3D NAND 项目研发取得突破性进展，第一个具有9......
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描述一种广泛应用于探索制程设计方面的系统性及随机性故障的短流程测试芯片与先进的检测工具平台相结合的综合方法,以对在65nm技......
为了充分检验某高性能DSP的CPU内核在65nm工艺下是否达到既定设计目标,对CPU内核进行了一次试流片,本文对测试芯片的设计与验证工......
据《国际半导体》（美）1994年第6期报道，英特尔公司和中国电子公司已经同意在中国进行技术合作，建立一个技术股份公司，将组装和测试英特......
期刊
对生成测试芯片效率进行研究，提出了一种采用版图编辑器作图和批量参数化建模设计方法。缩短了设计周期，降低了设计难度。依据该方法......
基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一......
在工艺开发包的验证过程中，需要手动地在版图编辑器中对参数化单元进行实例化和摆放绕线，由此产生大量测试芯片。为此，提出一种用于验......
测试芯片作为集成电路制造工艺提取工艺器件参数,评估工艺设备性能,制定版图设计规则,检测工艺缺陷以及评估产品可靠性的重要手段,......
集成电路制造技术的不断进步,给缺陷定位带来巨大的挑战。传统的测试芯片和现有的可寻址的方法都无法满足当前缺陷快速准确定位的......
虽然超大规模集成电路产业在摩尔定律的指引下已经步入纳米时代甚至非常接近摩尔定律的尽头了,但是它仍然在快速发展中。工艺节点......
<正>IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示,......
随着集成电路产业进入“后摩尔”时代,集成电路的制造技术变得异常复杂,在生产过程中保证芯片的成品率面临着极大的挑战。在芯片制......
随着集成电路制造的工艺尺寸不断减小,集成电路制造工艺越来越复杂,由缺陷引起的成品率问题渐趋严重。晶体管的失配问题也因为工艺......
在全定制电路设计中,半导体制造商通过工艺开发包与电路设计工程师交流。伴随电路设计日益复杂,工艺开发包的设计难度也日益增加。......
在系统芯片(SOC)设计中,伴随着数据处理需求的不断提升,高性能静态随机存储器(SRAM)所占的芯片设计面积比例逐渐增大。因此,如何提......
