电化学C-V相关论文
通过实验确定了一种与GexSi1-x合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层GexSi1-x/Si异质外延材料的载......
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采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布, 所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致. ......
利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子......
采用电化学C-V测试方法，测量分析了InP／InGaAs／InP外延结构的I-V特性，对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术......
使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数，研究了......
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电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄......
X射线双晶衍射法(XRD)能够分析生长材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息,同时具有非破坏性、精度......
