透明导电性相关论文
室温下通过磁控溅射技术制备了SnO2/Ag/SnO2(SAS)、SnO2/Ag/NiCr/SnO2(SANS)和SnO2/NiCr/Ag/NiCr/SnO2(SNANS)三类多层膜.采用X射......
以Zn/ZnO/ZnF2混合物为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃、溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜,研究气体流......
简述了透明导电薄膜材料的研究现状与发展趋势,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究......
ZnO基薄膜作为ITO薄膜最有可能的替代材料之一,得到了广泛关注。不同于常用的金属或氧化物靶材,本论文以Zn/ZnO、Zn/ZnO/ZnF2混合......
石墨烯(Graphene)是由碳原子sp2杂化形成的六角(又叫做“蜂窝形”(Honeycomb))晶格单原子层晶体,是迄今为止人类所发现的第一种真......
学位
越来越多的智能手机和平板终端开始配备静电容量式触摸面板。这种面板的透明电极材料已正式开始使用在溶液中混入微小银线的透阴导......
日东电工株式会社发明的新型透明导电性膜，在透明膜基材的一个侧面有硬涂层，进而在该硬涂层上有通过干法工艺形成的10～300mm厚的SiOX......
日本帝人化成公司开发出一种新型透明导电性薄膜。该薄膜具有防止画面分辨率下降的特点，它的画面分辨率可达全球最高水平。公司已向......
Owing to both of its high carrier concentration and large band gap,ZnO:Al(ZAO)films which is an n-type degenerate semico......
帝人化成公司（总公司：东京都千代田区,社长：酒井和幸）这次开发了减低作为静电容量方式＊1触摸屏课题的”见骨”现象＊2、以世界最高水平防......
综合报道采用有机金属化学气相沉积技术研制Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｚｎ氧化物光电薄层晶体的结果。给出了通过ＭＯＣＶＤ技术获得透明导电的ＴｉＯ２－ｘ，Ｆｅ２Ｏ３．Ｔｉ，ＳｎＯ２．Ｐ，ＳｎＯ２．Ｓｂ，ＳｎＯ２．Ｆ，Ｉｎ２Ｏ３．Ｓｎ和ＺｎＯ．Ｈ薄层晶体的方法。讨论了这......
全透明的挠性印制电路板通常的挠性印制电路板(FPC)是用透明或半透明薄膜基材,而导体用铜箔或银膏类不透明无机材料。现日本Mektro......
据＂www.ptonline.com＂报道,沙特基础工业公司（SABIC）与新加坡Cima Nano Tech合作开发出一种新型透明导电性聚碳酸酯（PC）,该透明导电性PC......
ZnO/Cu/ZnO 透明传导性的薄电影被 ZnO 目标的 RF 劈啪作响免职和 Cu 目标的 DC 劈啪作响免职在 n 类型(001 ) 上准备在房间温度的......
利用压缩空气气雾化器，通过喷雾热分解法，以ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ为原料，在载玻片上成功制备了ＳｎＯ２薄膜，在１１０℃到３６５℃间的不同沉积温度下进行镀膜，考察了沉积温度，沉积......
利用Zn/Zn O复合靶材,通过射频磁控溅射技术,在衬底温度为150℃时分别在Ar+O2和Ar+H2的混合气氛中制备Zn O薄膜,通过干涉显微镜、X......
不同于常用的金属或氧化物靶材,本研究以表面粘贴Al片的Zn/Zn O混合物(Al@Zn/Zn O)为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃,溅射气氛......
近年来,随着我国经济的迅猛发展,硅橡胶在工业生产中的用量极大增加。硅橡胶因具有优异的耐热性、柔韧性、耐候性、绝缘性,被作为......
采用基于密度泛函理论(DFT)的赝势平面波法,对一系列掺杂In含量不同的SnO2(ITO)的电子结构进行第一性原理研究。结果表明:随着铟含......
