导电原子力显微镜相关论文
六方氮化硼由于其极强的抗电流、抗氧化、高耐热等特性以及优异的润滑性能,成为了二维材料领域研究的新宠。另外由于支撑石墨烯的......
自2008年惠普实验室发现忆阻器以来,忆阻器已经在非易失性信息存储(NVMs)和神经计算(Neuromorphic computing)领域得到了越来越多......
二维层状过渡金属硫族化物（TMDs）,例如WSe2、WS2和Mo S2具有优异的电学与光电特性,因此在电子和光电子学中有着广泛的应用,引起了越......
纳米科学与技术这一学科领域的不断发展与进步极大推动了当今社会的发展,纳米科技已经涉及到我们生活的方方面面,如:智能手机、便......
以MoS2、WS2等为代表的二维过渡族金属硫化物（Transition Metal Dichalcogenides Sulfide,TMDCs）半导体材料,由于具有与石墨烯类似的......
探究跨越分子的电荷输运是最基础的科学问题之一。自组装单层膜(SAM)是以特定头基官能团分子吸附在表面上形成的有序分子组装体,可......
自从在钙钛矿氧化物中发现高温超导和巨磁致电阻以来，越来越多的新特性被加以体现，在铁电、介电、铁磁和超导中。由于这些材料表现出......
导电原子力显微镜(CAFM)是在原子力显微镜(AFM)上发展出来的一种可用于研究表面电学性质的技术，利用导电针尖同时测量单个半导体量......
利用导电原子力显微镜针尖,对组装在单晶硅上的有序长链硅烷(OTS)单分子膜进行微区电化学氧化,非破坏地改变其表面甲基为羧基,形成......
基于导电型原子力显微镜和扫描隧道显微镜的对比观察,研究高定向热解石墨表面上残留石墨片的导电增强现象.根据样品电阻的测量数据......
对导电原子力显微镜在介质层电流图像检测中存在的假像进行了研究。发现这种假像归因于导电探针针尖较大的直径，其大小与被检测样品......
为了满足人类能源的需求而不断地使用化石燃料,不仅引发了全球能源危机,同时向大气中排放了大量的二氧化碳(CO2)和其他温室气体,加......
利用导电原子力显微镜(AFM)在硅、其它半导体和金属表面的电场诱导氧化加工是实现纳米器件的有效方法.大气状态下样品表面吸附的水......
钨和钼材料具有高熔点、高热导率、低溅射率等优点成为国际热核实验反应堆计划中面向等离子体材料的候选材料。因此研究钨和钼材料......
在生命体内,蛋白质通常固着在膜载体上与其它分子相互作用而参与生命活动,所以承受各向异性压力的蛋白质是其存在和功能化的基本形......
导电原子力显微镜（C-AFM）可在微观尺度下同时检测表征材料表面形貌和导电状态,是重要的材料表面表征设备。针对C-AFM测试过程中电流......
本论文主要利用扫描探针显微镜对氧化石墨烯及其还原产物的表面电势、功函数和局域导电等电学性质进行研究。首先,我们利用改进的H......
以半导体量子点为代表的半导体纳米结构在光电子、微电子和单电子器件领域有着重要的应用前景,在硅衬底上自组织生长的GeSi量子点......
传统硅基电子器件的尺寸逼近纳米数量级时,将面临因量子效应(如隧穿,散射和电子干涉等)而产生的一系列难以逾越的挑战。解决上述问......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
摩擦可调控的石墨烯作为固体润滑剂在微/纳机电系统中具有巨大的应用潜力.本文采用导电原子力显微镜对附着在Au/SiO2/Si基底上的石......
采用扫描探针显微镜（SPM）,对离子束溅射自组装生长的Ge/Si量子点的电学性能进行分析。实验结果表明,施加正向偏压于圆顶形量子点上时......
分子自组装技术被广泛地应用于电化学、表面修饰、分子器件、纳米刻蚀以及与生命科学的交叉等领域，因此涉及分子自组装的各类基础研......
CdS-CdTe铁电半导体耦合太阳能电池是一种新型太阳能电池,其工作机理是光伏材料Cd Te吸收光子产生的电子空穴对,在铁电材料Cd S极......
被誉为“21世纪的硅集成电路技术”的SOI技术，由于SOI独特的结构特性，而被广泛的应用在低压、低功耗电路、高温器件、抗辐照器件以及......
黑磷作为一种新型的二维材料由于具有良好的电学与光电特性,因此受到科研工作者的广泛关注。黑磷属于双极性的窄带隙的半导体,其带......
利用物理蒸发技术,在半导体性的碳纳米管上沉积钯金属,利用导电原子力显微镜检测钯吸附对碳纳米管电输运的影响.结果表明:沉积的钯......
目前,各种新型移动终端的快速发展对集成电路提出了更高的要求,集成度更高,速度更快,功耗更低成为集成电路设计和制备的重要指标。......
ZnO具有纤锌矿晶体结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,有良好的物理性能和结构特性,因此具有广泛应用前景,与此同时,......
本论文主要通过扫描探针显微镜对分子束外延自组织生长的单个GeSi量子点和量子环的电学性质进行研究,结合单个量子点和量子环的组......
在金(111)表面组装了具有不同末端基团的硫醇单层分子膜,并利用导电原子力显微镜研究了分子膜的电输运性质,发现不同末端基团的分......
