陷阱能级相关论文
为研究双极性方波电场下电晕老化对环氧内部空间电荷的影响，检测了电晕老化前、后环氧树脂在50 Hz、20μs双极性方波10～20kV/mm电场......
本文从测量、危害、抑制方法、应用、仿真等研究角度出发,概括介绍了固体绝缘介质中空间电荷研究的发展历史及进展.目前广泛使用的......
本文通过热脉冲法和光刺激放电法研究了聚酰亚胺薄膜中陷阱能级分布情形.利用热脉冲法监测样品中的空间电荷分布变化,发现样品中的......
采用高温固相法在弱还原的气氛下合成了Sr2SiO4高亮度的黄色长余辉材料。 通过X射线衍射（XRD）分析发现所制得的样品属于α′-Sr2SiO4......
通过光刺激放电(PSD)技术研究了纳米粉末掺杂低密度聚乙烯(LDPE)中的陷阱能级.利用连续扫描法得到了不同掺杂比例的Al_2O_3,MgO纳......
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势......
采用快速燃烧法制备了Sr2.98-x Al2O6:Eu2+x,Dy3+0.02长余辉发光材料.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光测试(PL......
长余辉发光材料广泛应用于节能、环保和安全防护等领域。硅酸盐长余辉磷光体是一种很有发展前景和巨大潜在市场的高新技术。本研究......
为寻找一种能抑制表面电荷积聚的纳米复合电介质,分别用八甲基环四硅氧烷和六甲基二硅氮烷两种硅烷偶联剂对SiO2纳米颗粒进行表面......
高速列车车顶绝缘设备,在气流环境中会与粉尘、金属颗粒等微小颗粒发生摩擦、碰撞带电,并在其表面形成表面电荷,引发沿面放电现象,......
本文研究了AlGaN/GaN HEMT器件在温度范围298k到473k内栅极反向泄漏电流的产生机理.实验结果表明,在所选温度范围内,栅泄漏电流所......
采用高温熔融法制备了Mn2+掺杂的ZnO-B2O3-SiO2（ZBSM）体系的光存储玻璃，并通过热释光谱研究了ZBSM玻璃的存储性能以及陷阱能级的......
低温（接近或低于液氮沸点）绝缘存在新的问题，即在室温下能注入更多的空间电荷。用电声脉冲法和ＴＳＣ法测量了低温下聚合物绝缘中注入的空间......
该文报导采用热激电流（TSC）法，对三种不同结构的ZnS∶Er[*+*]—ACTFEL样品，在80度K—430°K温度范围内，检测得三个热激电流峰。可认为Zn......
多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFT)因其在有源矩阵液晶显示器(AMLCD)、固体图像传感器、打印机、扫描仪以及三维(3-D)集成电路等方面......
该课题选择SrAlO作为磷光体基质材料,Eu和Dy作为激活剂,BO作为助熔剂,采用高温固相合成法制备了SrAlO:Eu,Dy磷光体材料.该论文系统......
纳米颗粒掺杂改性是一种提高聚合物绝缘材料电性能的有效途径,但实际掺杂过程中,纳米颗粒不可避免地会发生团簇现象,从而导致纳米......
钛酸锶(SrTiO_3)晶体是一种钙钛矿型绝缘体。早期,对SrTiO_3的研究大量集中在通过掺杂Nd、Cr、La等金属离子获得的SrTiO_3导电层上......
纳米颗粒掺杂聚合物材料目前已成为改善电线电缆绝缘材料空间电荷积累等问题的主流方法，但团聚等现象大大影响了纳米复合材料的使用......
纳米聚合物复合材料作为一种新材料,已经引起了越来越多的关注。通过向聚合物中填加少量的纳米填料,原有的性能将会被改善。纳米氧......
绝缘材料的发展推动着电气行业的进步，纳米复合材料在电气绝缘领域的应用越来越广泛。但是在制备纳米复合材料的过程中，纳米粒子极易......
复合绝缘子由于具有优异的防污闪性,在现代输电线路中得到了广泛的应用，其老化状况一直是人们普遍关注的问题。如何评估复合绝缘子......
ZnGa2O4作为是一种自激活新型发光材料，最近受到了研究人员的广泛关注。它具有优秀的化学热稳定性和颜色纯度，其本身也是一种良好的......
本文紧紧围绕着能量在基质材料中的存储、转移和释放这三个过程对长余辉现象在晶体和玻璃中的形成机理和特殊发光性质进行了研究。......
采用高温固相法合成了长余辉发光材料Sr3-xCaxAl2O6:Eu2+,Dy3+(x=0,1,2,3),研究了样品的结构、光致发光、余辉发光和热释发光性能.......
采用低温燃烧合成(LCS)法制备了存储型上转换发光材料CaS∶Eu,Sm,并对其上转换发光机理进行了研究。研究表明:样品的激发光谱位于2......
采用燃烧法在600~800℃合成了Sr2MgSi2O7:Eu2+、Dy3+、Nd3+,Sr2ZnSi2O7:Eu2+、Dy3+、Nd3+和Sr2ZnSi2O7:Eu2+、Dy3+蓝色长余辉发光......
用空间辐照环境模拟设备对甲基硅橡胶进行了质子辐照.辐照能量为200keV,辐照剂量范围为1014～1016cm-2.用热发光和热激电流分析方法,......
采用高温固相法制备了SrLaGa3O7∶xSm 3+长余辉材料，通过XRD、荧光光谱、热释光谱分别对样品的结构以及发光性能进行了研究，探究了Sm......
为了研究聚合物绝缘材料表面陷阱参数对其绝缘性能的影响,在简述了等温电流衰减理论后依该理论设计了材料表面陷阱分布测量装置,并......
采用高温固相法在弱还原气氛中，1300℃合成了掺杂Eu^2＋和Dy^3＋离子的SrAl2O4。对比研究了SrAl2O4：Eu^2＋和SrAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋的余辉特性和......
研究了Dupont原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜在10kV／mm、20kV／mm电场下电晕老化8h前后和在不同温度下的高场电导特性．结果表明，原始及耐电晕......
使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器，在可见光照射下，器件反偏漏电流大，零偏阻抗低。通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验，......
研究了聚合物PVK与TiO2分层光电导器件的电荷传输特性,分别比较了两种器件:器件S1(ITO/TiO2/PVK/Al)和器件S2(ITO/PVK/TiO2/Al).实......
以Zn2SiO4为基质，用高温固相法（ss），sol-gel法（sg）制备得到Zn2SiO4：Dy^3＋长余辉发光材料，该发光材料的制备及长余辉发光性能至今尚未见到文......
驻极体材料的陷阱能级及其陷阱的几何分布是影响驻极体电荷稳定性的关键因素，本文利用的电晕和电子束充电，热刺激放电（ＴＳＤ）电流谱及热脉冲......
高耐压功率MOSFETF系列产品为使trr（内部二极管反向恢复时间）达到高速化，成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级，从而使得tr......
选择制备了Tb3+掺杂的不同ZnO含量、组成为xZnO- [(100-x)/2]B2O3-[(100-x)/2]SiO2(x=55,60, 65,70)的ZBS玻璃.并通过光致发光光谱......
用高温固相法在还原气氛中制备了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,测得了其晶体结构、激发光谱和发射光谱.在所知的最佳激发条件......
热刺激电流技术是研究电介质电荷存储及陷阱能级分布的有力工具,因此开发了热刺激电流试验系统,它由加热装置、微电流测量装置(静......
采用快速燃烧法制备了Sr2.98-xAlO6：Eux^2＋,Dy0.02^3＋2长余辉发光材料.利用X射线衍 射（ XRD）、扫描电子显微镜（ SEM）、光致发光测试（ PL）、......
采用高温固相法按化学式ZnxMg（1-x）Ga2O4∶Cr3＋（x=0,0.2,0.6,0.8,1.0）配比原料制备了一系列红色长余辉发光材料。X射线衍射（XRD）分析表明......
分析了采用等温衰减电流法研究有机固体材料陷阱的优越性,其实验过程简单,所得结果直观,且实验过程由计算机自动控制,可大大提高实......
采用原位聚合法制备了PI/TiO2和PI/SiO2纳米复合薄膜。研究质量分数均为10%的两种纳米掺杂对PI复合薄膜介电性能的影响,采用光刺激......
