通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45 nm及以下技术节点的掩模要求.此外类似于折射指数、平整度、成分、均......

分析了极紫外光刻技术作为下下代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况，表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的......

极紫外光刻(EUVL)技术是实现45 nm特征尺寸的候选技术之一,产业化设备要求300 mm硅片的产率大于每小时80片(80 wafer/h),此时入射......

极紫外光刻（EUVL）技术能突破30 nm技术节点、可应用于大规模工业生产,是下一代光刻技术的核心之一。极紫外（EUV）光源是EUVL的源头,寻找......

利用脉冲宽度为10ns,输出波长为1 064nm的Nd∶YAG激光器作用金属Gd以及纳米粒子掺杂的低密度Gd玻璃等两种形式靶所产生等离子体光......

概述了用于45nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线，结合国际半导体技术发展指南（ITRS）和各公司最新宣布的研究成果，探讨了各种光刻......

在极紫外光刻技术中,光学系统对多层膜光学元件表面面形精度有严格的要求,并且多层膜光学元件需要较高的反射率.由于多层膜中存在......

介绍计算机辅助装调方法在离轴照明EUVL光学系统中的应用,阐述了一种基于奇异值分解(SVD)的牛顿迭代法来求解失调量.利用该方法对......

EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申......

针对极紫外投影光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,简称EUVL)工作波长短的特点及由此带来的一些问题,对EUVL微缩投影物镜的结......