离轴照明相关论文
在高分辨光学光刻技术中,光瞳整形技术针对不同的掩模图形产生特定的光瞳光强分布模式,从而实现分辨力增强,获得更好的成像性能。......
光刻技术一直是集成电路工业发展中的重要推动力,移相掩模是提高光刻分辨率的重要分辨率增强技术.在65nm节点及以下的光学光刻中,......
本文介绍了分辨率增强技术(RET)对65nm-45nmArF光刻性能的影响.通过某种RET技术或它们的结合应用,利用PROLITH和自主开发的光刻仿......
禁止光学空间周期“Forbidden Pitch”是光学临近效应修正(OPC)中必须要面对并解决的问题之一.它主要出现在1.1 ~1.4倍(曝光波长/......
本文提出一种全面描述光刻机离轴照明光源物理分布特性的全参数解析模型,该模型采用Sigmoid函数作为构造各种主流离轴光源解析模型......
离轴照明(OAI)作为一种重要的分辨力增强技术(RET),不仅可以提高光刻分辨力,而且对焦深(DOF)也有一定程度的改善。针对特定的掩模......
详细研究了离轴掩模的原理 ,将离轴照明 (OAI)与相移掩模 (PSM)技术结合起来 ,在掩模上同时实现两种功能 ,较大程度地提高了光刻分......
极紫外光刻照明系统是极紫外光刻机投影曝光系统的重要组成部分,它必须为掩模面提供均匀照明并实现多种离轴照明模式。目前主流的......
本文介绍当前最前沿的几种分辨率增强技术的基本原理及开发应用的现状，如离轴照明，光学邻近效应校正，辅助图形和相移掩模。这些方法连......
矢量衍射理论适用于大数值孔径光学系统中研究照明光的偏振态对成像对比度的影响.本文主要研究了离轴照明下的S偏振光和P偏振光对......
该研究中，将离轴照明与相移掩模技术结合起来，在掩模上同时实现两种功能，可较大程度提高光启程分辨力，实验表明，在数值孔径０．４２，ｉ线曝光波长下......
微光学元件以其效率高、体积小、重量轻、易于复制、可以实现多种变换功能等优点在现代科技中有着越来越广泛的应用。为拓展微光学......
随着现代微电子技术向高集成度超微细化方向发展 ,为提高制作微细图形的光刻设备所能达到的光刻分辨力水平 ,在设备不更新的情况下......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术，分析了两种技术的原理，利用光刻模拟软件，针对不同线宽的......
本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术.主要从改善光刻分辨率、增大焦深、提高空间像对比度等方面对离轴照明与传统照明作了比较,并......
在投影光刻中矢量衍射理论适用于研究照明光的偏振态对空间成像的影响.主要研究了在离轴照明方式下照明光的偏振态对线条图形的影......
研究了离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,研究65 nm线宽的密集线条、半密集线条、孤......
本文阐述了离轴照明提高曝光分辨率和增加焦深的原理，应用Ｈｏｐｋｉｎｓ理论研究了其成像特性。给出了两种离轴照明方式－四极照明和环形照明下的空......
详细研究了离轴掩模的原理，将离轴照明（OAI）与相移掩模（PSM）技术结构起来，在掩模上同时实现两种功能。较大程度地提高了光刻分辨力。实验......
针对现代光刻中，超大数值孔径的情况下，通过简单的傅里叶衍射理论模拟掩模的传递函数的方法不够精确，必须得考虑倾斜照明带来的阴影效......
针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适......
本文主要介绍了国外用于提高光学片子步进机成像性能的高分辨率、大焦深的离轴照明技术。通过几种照明技术的比较，指出了可用于亚半......
如何提高光刻的分辨率已成为超深亚微米集成电路设计和制造的关键技术.文章简要介绍了分辨率提高技术之一的离轴照明的原理及其构......
介绍了 193 nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理......
禁止光学空间周期“Forbidden Pitch”是光学临近效应修正（0PC）中必须要面对并解决的问题之一．它主要出现在1．1～1．4倍（曝光波长／数值孔径）的......
本文探讨了用离轴照明技术提高光刻工艺容限的方法。通过数值孔径分别为０．５４和．４８透镜系统的实验数据介绍了该技术的优、缺；点，并讨论了其在......
在高分辨率高精度光学干涉检测过程中,系统中元件的缺陷及干涉环境中(除干涉腔外)的微小颗粒产生的寄生干涉条纹等相干噪声,严重制......
针对极紫外投影光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,简称EUVL)工作波长短的特点及由此带来的一些问题,对EUVL微缩投影物镜的结......
通过PROLITH光刻仿真软件研究了非理想照明光瞳对光刻成像质量的影响以及图形位置偏移量对光瞳偏心的敏感度随数值孔径NA和相干因......
研究了照明光瞳非对称性对光刻成像质量的影响。通过PROLITH软件计算了环形与四极照明条件下,光瞳非对称性对图形位置偏移量、曝光......
进入超深亚微米阶段后,集成电路制造工艺中普遍采用了亚波长光刻技术。然而随着特征尺寸逐渐接近光刻分辨率极限,制造过程中会发生......
极紫外光刻技术(Extreme Ultraviolet Lithography,EUVL)被公认为是最具潜力的下一代光刻技术之一而受到广泛研究。作为光刻整机的......
制造集成电路的关键要求,是对特征尺寸和缺陷的控制。但是,由于光的衍射行为的限制,传统光学成像的分辨力,大约只有所使用光波长的......
随着光刻极限不断向前发展、光刻分辨率不断进步和提高,光刻机投影物镜波像差已成为评价光刻成像质量最关键的检测指标之一。目前,......
先进节点逻辑集成电路制造是当前工业界的领先工艺。为实现接触（Contact）层的光刻工艺,需要从两个关键方面进行处理：解析度和全间距的......
