InAsPSb相关论文
本文采用恒温液相外延生长方法，研究了ＩｎＡｓＰＳｂ四元材料外延层表面形貌与生长温度、过冷度之间的关系．实验结果表明，生长温度、过冷度对外延晶......
采用液相外延方法，生长出外延层与衬底之间的失配度△α／α≤１．６×１０－３界面平直、组分恒定的ＩｎＡｓＰＳｂ／ＩｎＡｓ外延晶体．单异质结外延层，得到了３．０９μｍ波长的激光输出......
对InAs衬底上液相外延生长四元系InAs_(1-x-y)P_xSb_y(x=0.2,y=0.09)材料进行了研究,此材料适合于2.5μm中红外波段的光源及光探测......
利用液相外延技术，考察了与ＩｎＡｓ衬底晶格匹配的ＩｎＡｓＰＳｂ四元系化合物生长条件对外延层晶体质量的影响．
The influence of the growth conditions......
采用ＬＰＥ技术，生长出ＩｎＡｓＰＳｂ外延层，研究了降温、恒温两种方法对外延层组分分布的影响。结果表明，用恒温方法生长时，外延层中Ｐ、Ｓｂ组分分布较为均匀，在......
本文采用恒温液相外延生长方法，研究了ＩｎＡｓＰＳｂ四元材料外延层表面形貌与生长温度，过冷度之间的关系，实验结果表明，生长温度，过冷度对外延晶体质......
本文采用恒温液相外延生长方法，研究了ＩｎＡｓＰＳｂ四元材料外延层表面形貌与生长温度，过冷度之间的关系，实验结果表明，生长温度，过冷度对外延晶体质......
对InAs衬底上液相外延生长四元系InAs<sub>1-x-y</sub>P<sub>x</sub>Sb<sub>y</sub>（x=0.2,y=0.09）材料进行了研究,此材料适合于2.5......
