光致荧光光谱相关论文
传统的经典理论认为,半导体多量子阱结构中存在很强的量子限制效应,可以有效地对载流子进行捕获和限制,因此多量子阱结构被广泛的......
采用紫外-可见-近红外分光光度计和稳态/瞬态荧光光谱仪,分别测量了离散在水溶液中的CdSxSe1-x/ZnS量子点的吸收-辐射荧光谱以及及......
氮化镓及其相关的合金半导体材料是替代第一代（Si、Ge）和第二代（In P、Ga As）的第三代化合物半导体之一,由于其更为优异的光电性能,近......
通过热蒸发方法成功制备出SdS0.65Se0.35纳米带,得到的纳米带表面光滑,宽度厚度均一,表现出很高的结晶质量.使用近场光学显微镜对......
采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且......
采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔，用高精度扫描电镜观察孔内结构，发现片状的纳米结构．用荧光光谱仪测其光致荧光......
测量了不同组份比例x的CdSx Se1-x/ZnS（核/壳）量子点的吸收谱和发射谱,确定了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面.量子点吸收截面......
制备了一种以紫外（UV）固化胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤.通过测量不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱,得到了荧......
制备了一种半导体量子点CdSe／ZnS低浓度掺杂的光纤，测量了不同掺杂浓度和不同光纤长度下光纤出射端的光致荧光光谱，分析了掺杂光纤长......
对钠硼铝硅酸盐玻璃熔体进行拉丝,再经过退火热处理,制备得到光纤直径80~130μm的PbSe量子点玻璃裸光纤.透射电镜分析发现光纤中Pb......
氧化锌(ZnO)的室温禁带宽度约为3.37eV,激子结合能高达60meV。 ZnO作为新型半导体材料,在透明导电电极、表面声波器件、气体传感器......
随着光纤通信的飞速发展，密集波分复用系统(DWDM)对光纤放大器带宽和平坦增益特性的要求越来越高。光纤放大器以光纤为基底，因此高性......
半导体纳米晶体(量子点)及其应用是当前的研究热点之一。本论文主要做了以下三方面工作:(1)探索了量子点掺杂光纤的制备方法。制备......
纳米材料由于其奇特的物理、化学性质在材料的智能化、元件的高集成、高密度存储和超快传输等方面有着诱人的应用前景，因此纳米材料......
