PT薄膜相关论文
TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一.研究了剥离工艺(lift-off)用于TiNi薄膜图形化的可行性,并首次利用溅......
随着热处理温度上升,在SiO2/Si衬底上溅射的Pt、Pt/Ti电极中,构成Pt薄膜的晶粒由小变大,由分布均匀到晶粒局部聚集,最后分离成小岛.Ti层......
随着人口老龄化问题的加剧,微加工生物电极作为一种典型的植入式医疗器件被越来越多地应用于临床医学中。常采用导电性、耐腐蚀性......
用共溅射的方法制备了Pt-C薄膜,薄膜由Pt纳米粒子和非晶C组成。电子显微镜和X射线衍射的测试结果显示Pt纳米粒子镶嵌在非晶C之中。......
提出了一种可以测试氮化硅薄膜热导、热容的方法。该方法采用微机械加工技术制作成悬空结构,利用Pt薄膜来做加热与测温电阻。设计......
自旋电子学的发展依赖于对电子自旋状态进行有效调控。除传统的磁场调控手段外,自旋极化电流、自旋流产生的自旋转移力矩效应是对自......
利用高功率微波等离子体化学气相沉积方法在硅衬底上沉积了多晶金刚石薄膜,然后利用电子束蒸发方法在金刚石薄膜表面上沉积了5 nm......
Fe-Pt薄膜有望在高密度磁记录中得到应用,其合金成分是影响磁记录性能的一个重要因素.Fe50Pt50被认为具有最优的铁磁性能,而在非外......
L10有序FePt合金薄膜有大的各向异性能、矫顽力和饱和磁化强度,而且根据制备工艺条件的不同,其易磁化轴可以平行或垂直于膜面,因此......
用对靶溅射技术在MgAl2O4 (100) (MAO) 和SrTiO3 (100) (STO)单晶基底上制备Pt薄膜.基底温度为700℃时,Pt薄膜外延生长为(200)取向......
对用于红外探测器和光声电子器件的PT薄膜的制备工艺及热处理过程进行了实验研究。对多离子束反应共溅射法制备薄膜,作了相应的X衍射、......
采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜,研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构,表面形貌及电学......
采用标准MEMS工艺,设计并制造了一种Pt薄膜热式微流量传感器,并且以水和甲醇为工质,对该热式微流量传感器的工作特性进行了实验研......
采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180 nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜.厚约50 nm的T......
选择合适的沉积室内壁材料是热壁化学气相沉积制备Pt薄膜过程中降低前驱体在沉积室内壁上大量消耗,进而保证沉积室内Pt前驱体分压......
采用射频磁控溅射法成功制备了(111)取向的Pt薄膜。在研究退火工艺对Pt薄膜(111)取向生长的影响基础上,着重研究了退火工艺对Pt薄膜与缓......
随着集成电路的发展,摩尔定律一直驱动着集成电路特征尺寸逐渐减小。集成电路的基本单元即金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET......