静态功耗相关论文
本文设计了一种基于堆栈效应的漏电流模拟器,并提出了通过该模拟器,利用测试向量中特有的不确定位以优化测试中静态功耗的方法.实......
三维片上网络（Three Dimensional Network-on-Chip，3D NoC）由2D NoC在垂直方向采用TSV技术堆叠而成，其具有可重用和易扩展等特性以及芯......
近年来,由于有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、机械柔性优异且可大面积制备等优点成为国际研究的前沿领域之一.迄今为止,OFET的......
彩电待机控制器电路在有关电子刊物上偶有介绍，有的也申请了专利。笔者对有关电子刊物上介绍的、市场上少量出现的种种红外遥控装置......
介绍了一种由分离器件组成的高耐压、大电流、超低压差、低静态功耗、低成本线性电源电路,详细分析了其工作原理,并对其各项指标做......
本文介绍了ＬＴ３４８的电路、版图和工艺设计。ＬＴ３４８是由四个功能和７４１组件等同而又各自独立的高增益、内补偿、低功耗运放器组成，并且它的电源电流可......
本文通过对具有引起低阻抗的内部桥接缺陷的单相动态模块进行单相时钟动态CMOS集成电路的电流测试分析,得出结果表明,电流测试是对......
对ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构Ｌ８２Ｃ８７电路的电离辐射效应、退火特性及损伤机理进行了研究，探讨了用ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构对大规模集成电路进行抗辐射加固的可行性。
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介绍一种ＧａＡｓ６位数－模转换器（ＤＡＣ）。时钟频率达到５００ＭＨｚ，采用全耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ制作，平面凹槽工艺，最小线宽１μｍ，输入与ＥＣＬ电平兼容，输出能驱动５０Ω负载，最大静态功耗９００ｍＷ。
De......
为满足低电压ＣＭＯＳ晶体管高驱动电流和低静态功耗的要求，提出０．５Ｖ栅衬互连ＧＢＣ（ｇａｔｅ－ｂｏｄｙｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）体硅ＭＯＳＦＥＴ工作模式。利用二维器件模拟，对栅长直到７０μｍ的器件结构设计、特性......
详细介绍国外近斯推出的 CIPH05、CIPH06万能电子密码锁芯片的功能、使用方法以及实用电路。
Introduce the function, usage met......
按照传统的观念，低功耗系统设计只是便携式电子系统中考虑的问题。而今已成为现代电子系统的普遍追求。这是因为低功耗是绿色电子的......
分析了 ＣＭＯＳ数字专用集成电路功耗的来源，给出了半定制数字专用集成电路功耗的计算方法以及功耗优化设计的方法。
The source of power......
介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源 ,它具有 8ppm/°C的温度系数和 4m V/V的电源抑制比。同时 ,还介绍了一种用于带隙基准源......
功耗已经成为集成电路设计的一个十分重要的问题 对于一个给定的电路 ,其功耗是与输入密切相关的 ,即对于不同的输入向量集 ,同一......
在亚微米工艺水平阶段,动态功耗占IC总功耗的比重较大,但随着工艺尺寸不断减小,深亚微米制造工艺正在逐步成熟并被广泛采用,这使得......
提出了一种新型的系统矫正结构CMOS音频功率放大器.该放大器是由4个单端运放组成的伪差分结构.相对于传统的CMOS功率放大器,它具有......
Maxim Integrated Products推出业界首款1.8V视频放大器MAX9509/MAX9510,可工作在低至1.8V电压下,进一步降低器件功耗。该系列器件......
莱迪思半导体公司(Lattice)近日发布了其第三代非易失FPGA器件——LatticeXP2系列。LatticeXP2系列FPGA结合了富士通的90纳米逻辑......
传统上,数字逻辑的静态功耗不会很高,然而在非常小的工艺节点上,这种情况发生了变化。随着工艺尺寸的降低,数字逻辑的泄漏电流成为......
本文设计了一个用于耳机驱动的CMOS功率放大器,工作电压3V。采用准互补输出级结构。通过Spectre仿真器对整体电路进行了仿真分析,......
将利用分立器件设计的4通道神经信号再生电子系统成功地应用于大鼠和家兔的活体动物实验,再生了它们的神经信号.采用相同的原理,用......
提出了一种pn混合下拉网络技术,即在多米诺门的下拉网络中混合使用pMOS管和nMOS管来降低电路的功耗并提高电路的性能.首先,应用此......
随着工艺尺寸的减小,数字逻辑电路的漏电流成为当前FPGA面临的主要挑战。静态功耗增大的主要原因是各种漏电流源的增加。图1所示为......
基于台积电(TSMC)0.6μmCMOS(互补金属氧化物半导体)工艺设计了一款恒定跨导轨对轨输入/输出运算放大器.不同于传统的实现恒定跨导......
针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点,开展了54HC系列CMOS器件脉冲γ与60 Coγ总剂量效应损伤异同性研......
叙述了由5G1555时基电路组成的几种应用电路,介绍了5G1555时基电路的电性能参数。
Described by the 5G1555 time base circuit c......
电子工程技术人员进行集成电路设计应用已很普遍,然而集成电路的功耗和散热是专用集成电路(ASIC)芯片发展的较突出问题。从理论上......
基于电子不停车收费系统(ETC)接收机的要求,在TSMC018μm工艺下设计并实现一种8bit 32 MS/s流水线型模数转换器。通过详细理论分析......
简单介绍了开关电源(DC-DC)目前使用中存在的问题;依据相关电源技术规范,结合DC-DC自身的静态功耗、负载功耗等两个参数,探讨DC-DC......
微处理器,也既中央处理单元或中央处理器,是信息产品中不可缺少的部件.它有通用和专用两种.微处理器设计是集成电路设计中最复杂,......
近年来,随着移动设备、嵌入式设备的普及,移动处理、嵌入式应用的大量涌现,以及通用微处理器工艺水平和主频的不断提升,双核乃至四......
近几十年来,芯片的生产工艺已经从60纳米发展到了7纳米,纳米级电子器件的发展前景越发的明朗。电子信息系统的推陈出新,半导体技术......
以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造......
要不是服务器厂商的努力,我们还真不一定能这么早看到基于酷睿i7微架构,代号Nehalem的Xeon 5500系列处理器的服务器。原因很简单,......
在研究ＴＴＬ集成电路和ＣＭＯＳ集成电路功耗的基础上，提出了一种新的印刷电路板（ＰＣＢ）故障的描述方法，即ＰＣＢ故障的热模式．并详细分析了两类ＰＣＢ固定故障（ＳＡＦ）即固定开......
本文推荐一种新的双极存贮单元,它的读/写电流与静态电流之比可达40～200;而常规存贮单元的电流比值仅为0.8～8。 在静态情况下,存贮单......
简介——采用硅栅工艺和器件沟道长度为5微米制作的硅-兰宝石互补MOS反相器已达到毫微秒的传输延迟和微微焦耳的动态功率与延迟乘......
本文要报导一种采用高密度硅栅本体CMOS工艺和基本的6管CMOS RAM 单元电路的全静态16K CMOS RAM。存贮器的典型存取时间为95毫微秒......
CMOS静态RAM有很多引人注意的优点,那就是:静态功耗低,噪声容限高,单电源工作,工作电压及温度范围宽(通常为3～15伏和-55℃～125℃),......
在生产CMOS集成电路过程以及使用CMOSIC时须对电气性能进行预测及复测。特别作为生产单位需要有合能够比较方便而正确迅速地测试......
