SiCN薄膜相关论文
Si3N4是一种介电材料,SiC是一种半导体材料,两者的结合将可能是一种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料.本文采用微波-ECR等离......
采用磁控溅射技术制备了SiCN薄膜,利用傅里叶红外光谱仪、扫描探针显微镜、荧光分光光度计对薄膜结构、表面形貌、光致发光进行了......
CN晶体是理论预言的硬度比金刚石更高的材料,对其研究具有重要的理论意义和应用价值.该文针以目前CN研究过程中存在的主要问题,分......
SiCN(硅碳氮)作为C、Si与N三种元素构成的新型宽禁带半导体,集合SiC(氮化硅)、C3N4(氮化碳)和Si3N4(碳化硅)的良好光学、电学、力......
SiCN作为一种新型的第三代宽带隙半导体材料,以其较高的硬度、低摩擦系数、高温抗氧化性、良好的发光及场发射特性等物理化学特性,......
本文用射频反应磁控溅射制备了SiCN薄膜 ,对薄膜的化学成分、结构进行了研究。结果表明 ,反应气体N2 、Si、C三者之间形成了Si-C、......
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化......
本文利用射频磁控溅射工艺制备了ＳｉＣＮ薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、Ｎ分压对薄膜沉积和光学性能的影响．研究结果表明：溅射制备的薄膜......
采用热丝化学气相沉积（HFCVD）系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜（AFM）、X线衍射......
SiCN thin films and Cu/SiCN/Si structures were fabricated by magnetron sputtering. And some samples underwent the rapid ......
采用磁控溅射法在单晶硅衬底上制备了SiCN及Cu／SiCN薄膜，并对试样进行了退火处理。利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、四探针测试......
通过建立的SiCN/Si薄膜/基体系统，提出了一种分析纳米压痕过程中材料塑性性能的方法。用有限元方法模拟了纳米压痕过程，通过比对模拟......
利用微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了硅碳氮（SiCN）薄膜，并利用X射线光电子能谱、扫描电镜、椭偏光谱仪等对薄膜成分、结构......
本文用射频反应磁控溅射制备了ＳｉＣＮ薄膜，对薄膜的化学成分、结构进行了研究。结果表明，反应气体Ｎ２、Ｓｉ、Ｃ三者之间形成了Ｓｉ－Ｃ，Ｓｉ－Ｎ和Ｃ－Ｎ键，构成了复杂的网络......
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜，并利用X射线衍射（XRD）、红外吸收谱（FTIR）和X射线光电子谱（XPS）对薄膜的结构、成份及化学键合状......
SiCN薄膜通过反应溅射法制备，并通过红外吸收谱（IR）进行表征。结果表明，薄膜中的N含量受衬底温度、N2流量、溅射功率影响。低的衬底温......
硅碳氮(SiCN)是一种新型的宽带隙半导体材料,光学特性优良,在光电子器件领域具有非常广阔的应用前景。不同Si、C、N元素含量的SiCN......
利用微波电子回旋共振（MW-ECR）等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅（SiCN）薄膜。研究结果表明：硅靶溅射功率和氮气流量对薄膜化......
本文利用射频磁控溅工艺制备了ＳｉＣＮ薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、Ｎ分压对薄膜沉各和光学性能的影响，研究表明，溅射制备的薄膜中形成......
硅碳氮（SiCN）薄膜是一种新型的三元功能薄膜材料,因其高硬度、宽光学带隙、良好的高温抗氧化性能及抗腐蚀性能等诸多优点,在微电子半......
学位
硅碳氮（SiCN）薄膜作为一种新型三元薄膜材料具有优异的光、电和机械性能,此外,该薄膜独特的发光性能和从可见光到紫外光范围的可调节......
硅碳氮(SiCN)作为一种新型宽禁带半导体材料,具有优异的光学、电学和机械性能。其与si基集成电路工艺兼容、独特的发光性能、带隙......
在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些......
本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜.所采用的源气体为高纯CH4和N2,而Si源来自于Si衬......
