ZNO晶体相关论文
采用水热法,以CoCl2·6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS......
在光催化研究领域,单一半导体光催化剂常因太阳能利用率低,光生载流子复合率高等缺点限制了其发展。目前,解决这些缺点的有效......
随着红外隐身材料研发与应用的重要性与日剧增，红外隐身涂层成为红外隐身材料的热点，如何设计和制备具有低红外发射率和工程应用性能......
在宽禁带半导体领域中,继GaN和SiC之后的研究热点是一种在蓝光、紫外、近紫外波段的光电子器件极具潜力的光电子材料,ZnO。它是一......
本论文简要综述了国内外关于材料物态方程及其热力学特性的研究现状和最新进展，以地球下地幔重要组成物质MgO和ZnO晶体材料为研究对......
为了揭示Mg掺杂影响ZnO带隙的物理机制及高压对ZnO微结构、电子结构和发光性质的影响机理，本论文采用MaterialsStudio计算软件中的C......
利用飞秒激光对ZnO晶体进行辐照,对辐照前后的晶体样品进行发光光谱及拉曼光谱检测.辐照后发光光谱的某些发光峰强度有明显增强,但......
采用配位多面体生长习性法则研究了极性晶体ZnO ,ZnS和SiO2 的理论生长习性 .发现其正负极轴方向的生长速度不同 .ZnO晶体的理论习......
采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0......
用建立在强场图像和自旋 轨道耦合机理的高阶微扰公式研究了ZnO晶体中Mn2 +和Fe3 +杂质中心的零场分裂 .研究发现 :Mn2 +和Fe3 +离......
ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法。本文对水热法生长的面积约150mm......
烧蚀条件对飞秒激光脉冲诱导氧化锌纳米结构有重要影响。研究了800nm,150fs,250kHz的飞秒激光脉冲分别在空气中,去离子水中以及无......
以不同Zn盐Zn（CH3COO）2.2H2O,ZnCl2,ZnSO4.7H2O,Zn（NO3）2.6H2O与不同碱NaOH,KOH为原料,制得Zn（OH）2-4前驱溶液,使之在水热环境下分解,生......
近几年,由于在惯性约束聚变诊断,核反应机理和时间飞行正电子发射断层扫描（TOF-PET）等多个重要领域具有潜在的应用,ZnO基超快（衰减时......
采用水热法,以CoCl2.6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜（SEM）及X射线能谱仪（XREDS）对合......
基于ZnO-PbF2高温溶液体系的相关系和析晶行为，发展了一种通气诱导成核的助熔剂-坩埚下降法生长技术．通过优化生长参数，获得了尺寸为......
本文研究水热自发结晶的生长条件对ZnO晶体形貌和质量的影响,研制用于生长较大尺寸晶体的防腐高压釜,研究水热有籽晶生长的条件对Z......
采用醇解法,在130℃的甲醇溶液中分别合成纯的和Al掺杂纳米氧化锌（ZnO）晶体。使用X射线衍射仪,透射电子显微镜,Fourier红外光谱和偏......
本文采用化学气相输运法在常压开放系统中以（0001）蓝宝石为基片制备出定向生长的ZnO晶体。以ZnO粉体为原料，NH4Cl为输运气体，O2和H2O为......
本文采用水热合成法，以3mol／LKOH为矿化剂，填充度为35％，分别在ZnO中添加SnCl4·5H2O、CoCl2·6H2O、NiCl2·6H2O作为前驱物......
固体表面的结构对其物理、化学、力学以及生物等方面的性质具有重要影响。飞秒激光表面加工技术作为一种新兴的加工技术,可以应用......
ZnO是一种多用途的半导体材料。传统上，被广泛应用于声表面波器件（SAW），体声波器件（BAW），气敏元件，变阻器，透明电极等。和GaN相比，ZnO的缺陷......
利用水热反应，在430℃，40Mpa，24小时内无温差自生晶合成了毫米级ZnO晶体，研究了温度、矿化剂浓度、矿化剂种类对ZnO结晶形貌和生长质量......
随着ZnO材料的应用,ZnO晶体的制备及缺陷也受到广大的关注。采用理论研究方法对ZnO晶体中的本征缺陷及与其相关的缺陷进行研究,可......
本文采用水热法对ZnO晶体进行了稀磁性掺杂,其方法是在Zn（OH）2或ZnO前驱物中掺入一定量的过渡族金属氧化物或氯化物,在较高浓度的矿......
本文采用水热法,以3mol·L-1KOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在前驱物（Zn（OH）2或ZnO）中分别添加一定量的MnCl2·4H2O,CoCl2·6......
以高纯氧化锌粉为升华源，采用物理气相传输法（PVT）法在1500℃下生长出了ZnO多晶体，生长速率达0．24mm／h。样品XRD测试和拉曼分析表明，无籽......
