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二氧化硅在VLSI中起着极其重要的作用.氧化层击穿是MOS VLSI的主要失效机理,并已成为电子设备中可靠性问题的重要原因。难解决的......
本文根据RHX36、RHX37等IC的抗核加固器件,以抗中子和γ射线为主,采取提高IC设计余量,使电路增益在较宽的范围内都不致于影响IC的......
索尼计算机娱乐公司、ＩＢＭ公司、东芝公司宣布 :三家公司计划联合研究开发一种先进的芯片结构 :新兴宽带时期的新一代器件。它们将共同......
医疗设备设计人员在选择压力传感器时必须考虑耐受冷凝湿度这一棘手的问题。通常，他们需要在功能特点、封装类型和成本之间反复权衡......
概述了三种不同介质隔离式压力传感器的温度性能比的测试结果.该测试不仅在指定的补偿温度范围内,而且还在拓宽的温度范围内进行.......
不锈钢的基本知识rn本刊:您好!说到不锈钢,我们的一般理解也仅仅限于“不容易生锈的钢”,请您简单地介绍下什么是不锈钢吧.rn靳军:......
文章采用先进的全介质隔离、高频低噪声、浅结工艺研制高稳定性低噪声对管电路.该器件具有两管电流放大系数对称性好(hFE=97%)、噪......
对硅厚膜BESOI介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性作了分析,并用计算机进行了模拟,从器件的几何图形和隔离偏压方面,提出了改善......
介绍了一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离(DTI)工艺.该工艺采用BOSCH刻蚀、兆清洗、多晶硅回填、刻蚀平坦化等技术,制作流程简单.其介......
概述了三种不同介质隔离式压力传感器的温度性能比的测试结果。该测试不仅在指定的补偿温度范围内 ,而且还在拓宽的温度范围内进行......
分析了在可靠性试验中双极型数字集成电路大批失效的原因,即电路中双层金属布线之间的SiO2绝缘介质在高低温的作用下所产生的应力......
本发明提供一种热镀锌锌渣的再生新工艺，在热镀锌锌渣中加入铝调质，并采用保护介质隔离空气，在熔炉中加热到500℃～900℃，恒温至全部融化......
高压集成电路HVIC(High Voltage Integrated Circuits)具有可靠性高、体积小、速度快、功耗低等优点,在军事、航空航天及核能等领......
学位
硅-硅键合晶片在机械减薄过程中产生的应力使硅片产生弯曲变形,这种变形在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移,导致硅片加工......
地震波的传播是受地球介质影响的。本文把不同的地质要素从物理及数学角度抽象成不同的方程与边界条件，从而解出地震波在不同地质要......
本文分析了高压模拟/I~2L兼容工艺的特点,着重介绍了一种采用介质隔离高压模拟/I~2L兼容工艺的用户线接口电路的特点、工作原理、......
抗核加固对导弹武器的突防和生存能力关系极大。在核战争条件下,未经加固的武器系统实际上是没有生命力的。本文对核电磁脉冲效应......
运用MEMS工艺技术制作的敏感元件和介质隔离特殊封装工艺，研制出压力传感器。在腔体内置填充架、充油位置、波纹膜结构等进行了技术......
本文介绍一种成品率高，而实现全介质隔离的ＳＯＩ技术。该技术利用助粘层对硅片进行粘合，实现以单晶硅取代ＳｉＯ２一多晶硅介质隔离片中的多晶硅支......
高低压隔离是SOI（Silicon-on-Insulator）高压功率集成电路的关键问题之一。文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究。通过理论分析和数......
