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作为信息存储的载体,存储器一直是电子设备中不可或缺的一部分。其中占据了存储市场大部分份额的是以电荷俘获为机理的无机闪存,但......
随着半导体工艺节点的推进与器件特征尺寸的减小,传统浮栅存储器面临着器件漏电增大、电荷泄露严重和可靠性下降等问题。采用分立......
阻变存储器(RRAM)因具有低功耗、高密度、结构简单且易与CMOS工艺兼容等特点成为了下一代最具潜力的非挥发性存储器之一。阻变存储......
随着器件尺寸的缩小,非易失性存储器和其他半导体器件一样,面临着可靠性的问题。由于EEPROM器件经常工作在高电场应力之下,与之密......
仿人智能控制(HIC)应用"极值叠加原理"和"保持特性"取代传统控制(PID)积分作用,消除了因此带来的相位滞后和积分饱和,用"抑制"作用......
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真空混合漏孔,如漏孔通道内含有空腔、毛细管道等,示漏气体除存在超长反应时间外,还存在超长的延迟时间和保持时间.只有经该延迟时......
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本文讨论了正电子发射成像的重建问题。正电子成像过程是对湮灭产生的光子对进行计数，而重建的目的是要恢复放射性核素的位置分布信......
近年来,随着智能手机,数码相机,平板电脑,移动存储设备等便携式电子产品的普及和不断发展,非易失性存储器市场不断扩大。基于电荷......
本文包括钛酸锶钡、钛酸锶铌及铁电存储器的研究。分别评述了钛酸锶钡介电材料、钛酸锶铌陶瓷材料及铁电存储器的研究现状;并成功......
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随着电子科学技术的发展,传统的Flash存储器面临物理尺寸缩小极限,为了满足未来高密度数据储存的需要,目前众多下一代新型非易失性......
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