设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟......

设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As/Al0.24Ga0.76As功率PHEMT器件，采用双选择腐蚀栅槽结构，有效提高......

利用泊松方程以及异质结能带理论，通过费米能级一二维电子气浓度的线性近似，推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型......

本论文开展对具有纳米场效应结构的半导体器件嵌入式微纳机械结构高灵敏传感研究。理论研究主要是微纳机械结构形变与半导体器件载......

设计并使用分子束外延（MBE）方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAsPHEMT外延材料，采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异......