图形化蓝宝石衬底相关论文
图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate,PSS)是在平面蓝宝石衬底基础上通过湿法刻蚀工艺加工得到的周期性图形结构,在改......
随着氮化镓（Ga N）基发光二极管（LED）应用越发广泛,对器件性能的要求也越来越高,需要我们制备出高质量的Ga N外延薄膜以提升LED器件的光......
高质量GaN和InGaN晶体的外延生长对于实现高性能射频、电力电子和光电器件具有重要意义。基于平片蓝宝石衬底,由卤化物气相外延(HV......
本论文研究了图形化蓝宝石衬底GaN基蓝光发光二极管的制备,重点研究了高密度图形化蓝宝石衬底的制备过程中所遇到的问题及其解......
图形化蓝宝石衬底可以降低GaN晶体的位错密度,提高LED的内量子效率,同时使LED出光效率提高,近年来引起了国内外的广泛关注。本文将......
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(TMGa)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变TMGa流量制备了4个蓝......
垂直结构GaN基LED因为具有良好的散热性能和均匀的电流扩展,已成为了GaN基LED的研究热点。然而,垂直结构LED的制备工艺复杂且不成......
氮化镓铝（AlGaN）基紫外发光二极管（LED）以其长寿命、不含汞、开关响应快、光谱集中等优势,在紫外固化、紫外印刷、光催化、杀菌消毒、......
图形化蓝宝石衬底（PSS）工艺在改善GaN晶体外延生长质量以及提升LED器件发光提取效率方面作用显著,并被LED行业大量采用。针对高亮度L......
蓝宝石因为其生产技术成熟、稳定性好、性价比高而被广泛应用于光电领域,成为GaN基光电器件的主要衬底材料。传统的蓝宝石衬底生长......
当今，虽然GaN基LED已经实现了广泛的商业化应用，但是其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果。主要原因之一在于缺少高质量的GaN......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料及2DEG具有优越的电学性能,使得GaN基高电子迁移率晶体管在抗击穿、耐高温及微波功率器件应用方面极具潜......
作为第三代宽禁带半导体材料的代表,氮化镓（GaN）具有直接带隙、光吸收系数大、抗辐射及耐高温等优良的材料特性,非常适合制备高性能......
相比传统半导体硅,III族氮化物半导体氮化镓(GaN)具有宽禁带和直接带隙等优势,特别适合制备高效短波长发光器件,如蓝色发光二极管(......
介绍了图形化蓝宝石衬底的工艺制程,以及湿法刻蚀的工作原理,针对图形化蓝宝石衬底湿法刻蚀过程中的难点,最大程度上提高全自动湿......
近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国......
随着能源危机的加剧,低能源消耗的发展模式日益受到重视。在照明领域,LED作为新一代固态照明源,符合节能减排的发展要求,但目前仍......
图形化蓝宝石衬底是在平片蓝宝石衬底表面刻蚀出周期性图形阵列,其在提升GaN基LED的发光性能方面具有较大优势。针对目前湿法刻蚀......
因蓝宝石具有良好的稳定性能,且其生产技术成熟,是目前异质外延GaN应用最广泛的衬底材料之一。采用图形化蓝宝石衬底技术可以降低G......
白光照明用GaN基高效率大功率LED，近年来引起了人们研究的广泛关注，是未来LED产业的发展趋势。蓝宝石图形衬底，可有效降低其上GaN外延......
图形化蓝宝石衬底作为GaN基LED照明外延衬底材料，由于其能降低GaN外延薄膜的线位错密度和提高LED的光萃取效率的显著性能在近几年来......
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主......
针对当前图形化蓝宝石衬底ICP干法工艺刻蚀流程，对工艺腔室真空环境微气压调节非线性特征进行了动态监测，本文提出了一种基于自适应......
