以SnCl2·2H2O及无水乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法在快速热退火下制备了SnO2纳米薄膜,研究了快速热退火(RTA)对SnO2薄膜性质的影响.......

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于......

鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求.实验中ZnO及 ZnO/Al薄膜用直流......

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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发法在Si基GaN模板上先后淀积一层SiO2和Ni薄膜,接着在氮气中快速热退火(RTA)自组......

采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜（ITO）,研究了生长条件、快速热退火（RTA）温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响......

首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/......

采用直流磁控溅射工艺在SnO2透明导电玻璃上沉积一层ZnO膜,制备出ZnO/SnO2复合透明导电膜,作为硅薄膜太阳电池前电极。比较了具有......

用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED所用的ITO膜,然后在N2气环境中进行快速热退火(RTA)处理,对ITO膜的各项特性进行测......

碳化硅(Silicon Carbide,Si C)是第三代半导体材料中的核心材料之一,具有优异的半导体和物理性能,在高温、高频、大功率领域具有重......

多晶硅薄膜太阳电池因兼具低材料消耗、低成本、高稳定性及多晶硅薄膜微电子器件的成熟工艺而备受瞩目。对多晶硅薄膜太阳电池的结......

采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物（ITO）薄膜，通过X射线衍射（XRD）、透射光谱、四探针法及原子力显微镜（AFM）研究了生长条件、快速热退火......