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本文用椭圆偏振光谱法研究了低温(77K)、中等能量(147keV)、剂量分别为3×1013及4×1013ions/cm2的BF2+分子离子注人Si的损伤及退火效应.根据样品椭圆偏振参数与C-Si的比较确定......
研究了<0001>和<1210>晶向α-Al2O3单晶在高剂量的Y、Pt离子注入后产生的损伤,注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明,在室温,171keV、......
SOI(silicon-on-insulator)是在体硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的一种新型材料,是一种具有独特优势、能突破体硅材料与......
参考人们对月质学的研究成果,从理论和实验两个方面研究了宇宙射线对地表矿物晶格的损伤大小及其对地质作用的影响程度.提出了宇宙......
白色像素(WP)是CMOS图像传感器(CIS)的关键参数指标,而光电二极管的离子注入是影响白色像素的主要因素。本文基于4-T结构N型光电二极管......
在国家节能环保的号召下,促使着节能型器件和新型能源技术的不断创新发展。以IGBT、SCR、GTO、BIPOLAR等为核心的新型电源管理器件......
用剂量为1.72×1019 n/cm2和1.67×1020 n/cm2的中子对掺氮6H-SiC单晶进行辐照,利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱等方法研究......
综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合......
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集成光学在现代光通信和光信息处理应用中起着关键作用,而光学材料异质结构是集成光学系统的重要组成部分。光学晶体异质结构是将......
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GaN作为第三代半导体材料,因其优良的特性,日益成为研究的热点。它在微电子和光电子领域具有十分广阔的应用优势和发展前景,同时离......