凹槽栅相关论文
pH传感器是测量液体介质的酸碱度、进行精密监测和科学认证的必备检验器件,在环境、医疗、工业、农业及生物等使用溶液的领域中有......
学位
本论文分别以有无栅槽、栅长和源漏间距为唯一变量制备AlGaN/GaN HFETs，对比探究PCF散射对凹槽栅耗尽型AlGaN/GaNHFETs器件2DEG电子......
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展,但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要......
短沟道效应是小尺寸ＭＯＳＦＥＴ中很重要的物理效应之一，凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ对短沟道效应有很强的抑制能力，通过对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ结构，特性的研究，发现凹槽拐角对凹槽栅......
研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微......
本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V......
随着半导体科技的不断进步,硅基半导体技术取得了几十年来持续的发展,已经成为当今半导体技术中最为成熟的技术,但在功率半导体领......
功率器件在电源管理、电力传输、工业控制等方面影响着人们的生活。硅基功率器件经过半个多世纪发展,性能已经趋近于理论极限,而现......
功率半导体器件在电力电子、微波通信等领域具有极其广泛的应用,近年来市场对工作频率、耐压能力等性能不断提出新的要求。在硅基......
本文描述了一种计算GaAs MES FET反向击穿电压的简单数值方法。击穿电压由电离率积分确定,同时只需要很短的计算时间,就能研究多种......
报道了对SiC MESFET器件多种纵向结构设计进行的研究和分析,设计了采用单凹槽栅结构、多凹槽栅结构和介质埋栅结构三种不同纵向结......
期刊
功率器件是电力转换的重要部件,其性能是影响电力转换效率的关键因素。发展了将近60年的硅基功率器件已经无法满足人们日益增长的......
AlGaN/GaN异质结由于极化效应在异质结界面靠近GaN侧产生了高浓度、高电子迁移率的二维电子气导电沟道,使得AlGaN/GaN HEMT器件具......
氮化镓(GaN)功率器件因能实现高功率、高频率、高线性度、高效率等特点吸引着其在功率器件应用领域的快速发展。整流器在功率应用......
学位
GaN基HEMTs器件由于其优越的性能,在高频高温大功率微波器件中有着十分广阔的运用前景。然而GaN HEMTs器件存在高的栅泄漏和电流崩......
