随着器件尺寸缩小,浅结、超浅结的制作日益成为重要的工艺模块。对于22nm及以下技术代来说,除了采用低能离子注入获得极浅的原始注......

本文介绍了离子注入工艺的基本特点和工艺中应注意的几个问题，对离子注入在浅结形成及化合物半导体集成电路工艺中的应用进行了描述......

微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域。但是,由......

剂量为1×1015cm-2的10keV B+和45keV BF2+分别注入（100）n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行......

本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)......

随着VLSI工艺的发展,半导体制造技术不断进步,在摩尔定律的推动下,每过三年,芯片上面的晶体管数目翻两番,芯片面积变大1.5倍,器件......

本文报道了As预非晶制作浅P+n结,对As预非晶的能量和剂量的选择作了研究,并对常规炉退火（950℃,N2,30m）和快速热退火（RTA,1050℃,10s）......

采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N~+/P结和0.17μm P~+/N结,并应用于0.5μm C......

利用Boltzmann-Matno变换方法,求解与浓度有关的扩散方程,得到了砷硼快速热退火再分布的解析模型.实验证明本解析结果较好地符合快......

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶......

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源......

功率MOSFET广泛应用于消费电子等行业的各个领域里,相比于其他结构,具有导通电阻低、开关速度快、频率特性好等特点的沟槽型功率场......