寄生电阻相关论文
FinFET因其具有良好的沟道控制效果,更低的功耗,更好的可微缩特性,已经成为了当今的主流工艺。但由于FinFET器件具有3D特性,其漏源......
信息技术不断革新,集成电路沿摩尔定律不断发展,传统的半导体器件在尺寸变小,高速度运行的同时,需要更低的功耗。由于环栅（GAA）器件......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
The growth of SiC material......
寄生元件危害最大的情况rn印刷电路板布线产生的主要寄生元件包括:寄生电阻、寄生电容和寄生电感.例如:PCB的寄生电阻由元件之间的......
大功率IGBT器件通过并联多个IGBT芯片来获得大电流等级,并联芯片动静态电流分布的一致性对于提高器件电流等级以及可靠性至关重要.......
介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法.在0.18 μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试.通过对物......
采用单位缓冲器设计对杂散电容不灵敏的开关电容（SC）频率相关负电阻（FDNR）元件，利用该元件对椭圆函数式LC低通滤波器进行SC模拟。为了获......
基于LC谐振式传感器在高温下的测试随温度升高会发生信号衰减,频带变宽等现象,为了研究影响信号衰减的主要因素,借助于MATLAB软件,......
摘要：本文给出了两版基于0.18mmCMOS工艺的12位100MS/s流水线ADC。测试、分析了两版芯片,经过改进版图得到满意结果。 关键词： 流......
提出了利用理想第二代电流控制传输器（CCCⅡ）模拟电感特性的结构。分析了基于CCCⅡ模拟电感的理想电感效应有效范围、主要寄生电客电......
针对三相电压型逆变器这个时变的、耦合的、多输入、多输出的开关型非线性系统，应用开关函数建立了考虑滤波环节寄生电阻的系统数学......
运用双指数函数模型方法分析了影响MESFET的TiPtAu-GaAs肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系。编制了MESFET肖特基势垒结......
针对倍流整流电路在应用中由于两电感寄生电阻参数不一致导致的电感电流不对称问题,采用PSIM软件搭建带倍流整流电路的全桥拓扑进......
研究了一种高增益Z源逆变器的主电路寄生电阻对电路性能的影响。以有源箝位软开关变压器型准Z源逆变器SSTZSI(soft-switching tran......
功率半导体器件是电力电子变换器的核心部件,压接式器件因具有可靠性高、失效后呈现短路等特点而受到了关注。本文重点分析了压接......
近年来,液晶显示装置发展迅速。然而,液晶显示装置会由于基板上信号线寄生电阻和寄生电容存在而造成阻容延迟(RC delay)。由于信号......
研究了DC-DC变换器电压增益、工作效率和元器件、电路板(PCB)寄生电阻之间的数量关系。以Zeta变换器为例运用状态空间平均法研究了......
提出了一种基于半分析法的高速电子迁移率半导体晶体管小信号模型的提取方法.此方法是用测试结构的方法来提取焊盘电容和寄生电感,......
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IGBT动态测试平台的寄生电感影响IGBT器件的开关参数以及开关损耗,因此,提取动态测试平台回路的寄生电感对于准确获得IGBT器件的开......
通过分析DC-DC电流模开关电源的结构,提出了一种新颖的低功耗无损电流检测技术,降低了开关电源的静态功耗。该技术实现了"虚拟"的......
MOSFET是当前集成电路使用最广泛的半导体器件,也是数字电路、模拟电路和存储器电路的基本模块。器件特征尺寸的减小,给集成电路带......
学位
为应对能源危机和环境污染等问题,电动汽车、光伏发电等环保节能型产业正逐渐走入人们生活。具有体积小、效率高、功率密度高、输......
大功率IGBT器件通过并联多个IGBT芯片来获得大电流等级,并联芯片动静态电流分布的一致性对于提高器件电流等级以及可靠性至关重要......
染料敏化太阳能电池是一类新兴的光伏器件,具有光电转换效率高、成本低的优点,因此获得了科研工作者和企业界的广泛关注。为了进一......
随着超大规模集成电路工艺技术的不断进步,由于较好的栅极控制能力、较低漏电及更高集成度,三维FinFET成为深纳米工艺代中的核心器......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMTs)具有很多优秀的性能特性,例如高击穿场强、高输出功率、高饱和电子漂移速度。此外,......
近年来,由于微波技术的不断发展,微波半导体器件已经在无线通信、遥测系统、导航以及军事领域取得了广泛的应用。GaN作为第三代半......
微纳米特征尺寸的IC技术是当前和未来主流的VLSI生产技术。进入纳米尺度后,随着MOSFET器件尺寸的持续缩小,在长沟道MOSFET器件中原......
集成电路对于高速、高集成度、大信息存储量的追求使得MOS器件的尺寸持续缩小，但是随着MOS器件尺寸的缩小，许多原本在长沟MOS器件中......
采用单位缓冲器设计对寄生电容不灵敏的开关电容(SC)频率相关负电阻(FDNR)元件,利用该元件对椭园函数式LC低通滤波器进行SC模拟。......
