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介绍了一套基于CCD工艺的模型参数提取用测试图形(Testchip)设计方法。该Testchip的设计充分考虑了CCD工艺特征、中测测试条件、CC......
介绍几种新颖的超小型1GHz~26Hz高性能11.25°GaAs微波/毫米波集成电路移相器的设计、制造和性能。这几种移相器可以兼容不同的模拟......
对基于CCD工艺提取的BSIM3v3模型,在CCD片上放大器电路上进行了验证,通过在直流、瞬态和交流条件下对比电路的仿真数据和实际测试......
本文采用套筒式级联增益自举电路,设计了一种用于高速、高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,达到了高增益、低功耗的设计目标。在3.3V......
设计了用于高速高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,采用套筒式级联增益自举电路,达到高增益带宽且低功耗。在3.3V电源电压下,用TSMC0.3......
针对高速低阈值半导体激光器提出一种模型参数的直接确定方法。该方法仅利用阈值附近端口阻抗特性和阈值以上弛豫振荡频率特性来提......
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0.8μm CMOS/SOI的模型参数提取是基于0.8μm CMOS/SOI工艺,选用HSPICE中的level 57模型。介绍了测试图形的设计经验,分析了SOI器......
对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取......
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