氩氧比相关论文
无线通信、光纤通信系统飞速发展，低频段已经被占满，必须向高频段发展。高频声表面波(SAW)器件使用频率的升高，使它在雷达、电子战、......
采用反应直流磁控溅射法,通过调控溅射过程中的氩氧比,在石英玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜,研究了溅射气氛及后处理条件对其微结构......
通过射频反应磁控溅射在玻璃基片上制备TiO2薄膜。采用X射线衍射仪、Ranman光谱仪和原子力显微镜研究退火温度对薄膜晶体结构和表......
针对传统AOD配气方式的缺点,研究了基于魏季和等的脱碳精炼数学模型的配气模型,使AOD脱碳配气可根据钢水碳含量的变化自动调整氧氩......
以纯铝为靶材，在不同氩氧比例下，采用直流反应磁控溅射方法制备Al2O3薄膜。利用X射线衍射（XRD）、能谱（EDS）、扫描电镜（SEM）和精密阻抗分析......
本文采用磁控溅射法制备了用于电致变色器件的WO3薄膜，用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE.SEM)、紫外.可见分光光度计(UV.Vis)......
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱等研究了溅射压强和......
探讨氩氧比对采用ZnO陶瓷靶材磁控溅射制备薄膜的影响。研究发现，不同氩氧比对薄膜的溅射率和电学性能影响较大，而对薄膜的晶体结构......
采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌（AZO）薄膜。利用X线衍射（XRD）、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研......
保持总的工作气压不变,在不同氩氧比条件下,采用射频磁控溅射法在铝电极层上制备了ZnO薄膜。用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和压......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体，禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，具有六方纤锌矿结构。ZnO薄膜具有广泛的应用，如Zn......
采用射频磁控溅射方法分别在硅基底和金刚石基底上制备ZnO薄膜，研究了硅和金刚石衬底的不同对ZnO薄膜生长机理的影响，同时分析了氩氧......
