氮化铜薄膜相关论文
人工薄膜的出现是20世纪材料科学发展的重要标志。自70年代以来薄膜材料、薄膜科学、与薄膜技术一直是高新技术研究中最活跃的研究......
本文研究了 3d过渡金属掺杂对氮化铜薄膜的结构和光学特性的影响,并重点关注了 Mn掺杂带来的特殊变化。然后利用钒、铬和锰掺杂来......
氮化铜薄膜是一种亚稳态的半导体材料，它是以共价键结合的，它的晶体是反三氧化铼型简立方的结构，氮化铜薄膜还具有较好的光电性能，它具......
氮化铜晶体是典型的反三氧化铼(ReO3)结构的立方晶体,N原子位于立方体的8个顶点,Cu原子位于立方体边长的中点位置。常温下,氮化铜......
氮化铜薄膜具有良好的光电性能，其具有低温热分解性、高电阻率,且无毒、原材料价格便宜,常温下在空气中非常稳定的特点。 本文采......
氮化铜薄膜在光存储材料、电子元器件以及高速集成电路等不同领域具有潜在的应用价值,其特殊的结构、热学、电学、光学性能日益受......
采用柱状靶多弧直流磁控溅射法 ,10 0℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜 (Cu3N)薄膜 .用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu......
在不同的氮分压r(r=N2/[N2+Ar])和射频功率P下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了氮化铜薄膜样品.用台阶仪测得了薄膜的......
采用反应射频磁控溅射方法，在氮气和氩气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜（Cu3N）薄膜，许研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择......
使用射频反应磁控溅射法,在不同的射频功率和气体流量比下制备了氮化铜薄膜,并用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构进行表征......
采用射频磁控溅射法在不同温度的不锈钢基片上制备了氮化铜薄膜电极。通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和光电子能谱（XPS）分别对薄......
采用反应磁控溅射法在氮气分压0．5Pa、基底温度100℃条件下，在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜。XRD显示氮化铜薄......
由于氮化铜薄膜潜在的光存储应用前景,成为近十年来研究的热点材料之一,许多研究小组开始了对氮化铜薄膜掺杂展开了研究。本文综述......
氮化铜（Cu3N）薄膜是一种新型的电、光学材料，它具有典型的反三氧化铼结构，由于Cu原子没有很好地占据（111）晶格面的紧密位置，在薄膜中掺杂......
采用反应射频磁控溅射法，通过改变混合气体（N2＋Ar）中氮气分压来改变元素的沉积能量和密度，在玻璃基底上制备出了表面光滑、致密的氮化铜......
用直流磁控溅射方法，在氮气分压为0．5Pa、不同的基底温度下，于玻璃基底上制备了Cu3N薄膜。当基底温度为100℃及以下时，温度越高薄膜的......
本论文内容分两个部分,第一部分综述了纳米多层膜的最新研究进展,系统介绍了纳米多层膜的构成,超硬、超模效应的理论解释以及多层......
本文全面系统的研究了沉积条件对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜的结构和性能的影响,以及金属铝、铁、镧掺杂对直流磁控溅射制备氮化......
采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12sccm、衬底温度为100℃的条件下，在玻璃基底上成功制备了氮化铜（Cu3N）薄膜......
采用反应射频磁控溅射法，在氮气和氩气的混合气体氛围中，玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜（Cu，N）薄膜，并研究了混合气体中氮气......
Cu3N薄膜是近几年来研究的热点材料之一，在室温下相当稳定并且热分解温度较低，分解后生成的铜膜与分解前的氮化铜膜在红外及可见光区......
等离子体是由大量的电子、离子、中性粒子组成.等离子体中存在着复杂的原子分子过程以及复杂的物理化学反应,这些粒子和这些复杂的......
采用反应直流磁控溅射镀膜法，在氮气分压为0．9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu3N薄膜，并研究了基底温度对薄膜结构和......
