电子场发射相关论文
基于HCl辅助热蒸发GaN粉末的方法制备了纯净的一维GaN纳米线垂直阵列,重点研究了不同生长时间对应不同形貌的GaN纳米结构的电子场......
本文报导了一种新型金刚石场发射阵列冷阴极的制造方法和电子发射性能，通过数据分析得到了这种金刚石场发射体的有效表面功函数和总......
Y2000-62078-269 0007479电子和空穴的简单迁移率模型=A simple mobilitymodel for electrons and holes[会,英]/Takara,I.//1999......
近年来,Si器件的设计和制造工艺取得巨大进步,使Si器件特性已经接近材料理想极限。SiC材料的禁带宽度大、热导率高、临界电场高,Si......
采用真空磁过滤弧沉积的方法 ,制备了高sp3 键含量 ( >90 % )的无氢非晶金刚石薄膜 .研究表明 ,金刚石薄膜具有优异的电子场发射性......
综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(......
利用Ni/Ge/Au/Ni/Au和Pd/In两种金属结构成功地对体硅掺杂N-GaAs半导体(Nd=10~(18)cm~(-3))和离子注入N-GaAs半导体(dose=8×10~(1......
采用低压等离子体增强化学气相沉积法(LP-PECVD)制备氮化碳薄膜;低能离子注入机对制备的薄膜进行N注入掺杂.X射线光电子能谱(XPS)......
碳纳米管材料作为纳米材料的一个重要分支,在电子、力学、物理和化学方面具有许多奇特的性能,使得它在单电子器件、场发射冷阴极、......
学位
本文主要研究了一维氧化锌纳米线的制备及其结构、光致发光和电子场发射特性。 作为宽带隙半导体材料,ZnO具有良好的化学稳定性......
纳米科技的提出和发展革新了传统的材料加工制作方式,它试图通过在微观世界中纳米尺度内的加工操作来改进器件的性能,被认为是21世......
近年来，关于半导体纳米结构的电子场发射的报道很多，但是相关的理论研究仍然比较缺乏。因此，许多重要的实验观测现象并没有从物理机理......
利用低温液相法可控合成有序硫化镉纳米结构.用片状碘化铋作为可分解的二维模板实现硫化镉纳米线的生长调控.采用不同尺寸的片状碘......
对磁控溅射沉积得到的CNx膜在不同温度下进行真空退火，退火前后CNx膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征．结果发现，沉积的CNx膜中氮原......
基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图（PS）薄膜。该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术（SEM），X射线衍射（XR......
通过第一性原理的运用,对闭口碳化硅纳米管（SiCNT）顶层掺氮体系的电场发射性能进行研究,结果表明：掺氮的Si CNT的电子结构会发生非常......
自1995年首次报道碳纳米管电子场发射实验研究以来,碳纳米管被认为是最具应用潜力的电子场发射极,特别是近几年碳纳米管合成技术的......
利用低温液相法可控合成有序硫化镉纳米结构.用片状碘化铋作为可分解的二维模板实现硫化镉纳米线的生长调控.采用不同尺寸的片状碘......
SiCN thin films were synthesized by a radio frequency chemical vapor deposition (RFCVD) system on P-type Si (1 0 0) wafe......
在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能.对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0 mA/cm2的电流密度只需要4.5......
本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜，并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质，实验结果表明，硅尖上纳米金刚石膜的场发......
运用第一性原理研究了氮掺杂对碳化硅纳米管场发射性能影响。计算结果表明，在外加电场作用下，体系的态密度均向低能端移动，赝能隙及最......
基于密度泛函理论（DFT）的DMol^3软件包，研究了（9，0）型碳纳米管（CNT）顶端掺杂B／N／Si等元素对其几何结构及电子结构的影响。结果表明，掺杂原子对......
利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2（2h/ρ＋1）/[ln16（1＋16R^2/ρ^2）]-1......
利用低温液相法可控合成有序硫化镉纳米结构.用片状碘化铋作为可分解的二维模板实现硫化镉纳米线的生长调控.采用不同尺寸的片状碘......
氮化铝（AlN）是近年来广受人们重视的宽禁带半导体材料。它具有许多特殊的物理性能，因此，在许多方面已得到广泛应用或具有潜在的应用前......
研究了低成本大面积丝网印刷在玻璃衬底上均匀的纳米碳化硅（nano-SiC）薄膜的场致发射特性。提出了机械分散团聚的nano-SiC的方法,实......
