电子场发射相关论文
纳米科技的提出和发展革新了传统的材料加工制作方式,它试图通过在微观世界中纳米尺度内的加工操作来改进器件的性能,被认为是21世......
近年来，关于半导体纳米结构的电子场发射的报道很多，但是相关的理论研究仍然比较缺乏。因此，许多重要的实验观测现象并没有从物理机理......
利用低温液相法可控合成有序硫化镉纳米结构.用片状碘化铋作为可分解的二维模板实现硫化镉纳米线的生长调控.采用不同尺寸的片状碘......
对磁控溅射沉积得到的CNx膜在不同温度下进行真空退火，退火前后CNx膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征．结果发现，沉积的CNx膜中氮原......
基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图（PS）薄膜。该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术（SEM），X射线衍射（XR......
通过第一性原理的运用,对闭口碳化硅纳米管（SiCNT）顶层掺氮体系的电场发射性能进行研究,结果表明：掺氮的Si CNT的电子结构会发生非常......
自1995年首次报道碳纳米管电子场发射实验研究以来,碳纳米管被认为是最具应用潜力的电子场发射极,特别是近几年碳纳米管合成技术的......
在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能.对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0 mA/cm2的电流密度只需要4.5......
当材料至少有一个维度在1—100纳米之间时，我们称之为纳米结构。纳米结构和相应的体材料相比，具有许多独特的性能和诱人的应用前景，引......
基于密度泛函理论（DFT）的DMol^3软件包，研究了（9，0）型碳纳米管（CNT）顶端掺杂B／N／Si等元素对其几何结构及电子结构的影响。结果表明，掺杂原子对......
利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2（2h/ρ＋1）/[ln16（1＋16R^2/ρ^2）]-1......
利用低温液相法可控合成有序硫化镉纳米结构.用片状碘化铋作为可分解的二维模板实现硫化镉纳米线的生长调控.采用不同尺寸的片状碘......
氮化铝（AlN）是近年来广受人们重视的宽禁带半导体材料。它具有许多特殊的物理性能，因此，在许多方面已得到广泛应用或具有潜在的应用前......
研究了低成本大面积丝网印刷在玻璃衬底上均匀的纳米碳化硅（nano-SiC）薄膜的场致发射特性。提出了机械分散团聚的nano-SiC的方法,实......
