第一性原理研究在许多领域已经取得了巨大的成功,使我们从微观的角度更深入的理解固体和表面特性的物理本质,并预测体系许多性质及......

近几年纤锌矿InN半导体已成为人们关注的课题之一，本文利用基于密度泛函理论的第一原理总能计算方法，采用超原胞模型，研究了InN(0001)......

在 １０５０ ℃下用 Ｓｉ２Ｈ６和 Ｃ２Ｈ４在 Ｓｉ（１００）衬底上外延生长了 ３Ｃ－ＳｉＣ，生长前只通入Ｃ２Ｈ４将 Ｓｉ衬底碳化形成 ＳｉＣ缓冲层碳化过程中 Ｃ２Ｈ４与 Ｓｉ表面反应形成了 ＳｉＣ孪晶，但随着生长时间的延......

研究一种表面再构的具有全方位反光镜(ODR)结构的倒装AlGaInP半导体发光二极管(LED)。通过湿法腐蚀方法再构N-AlGaInP盖层表面,形......

以GaSb与AlSb为代表的6.1 （A|°）锑化物半导体材料及其构成的超晶格等低维结构在中长波红外探测领域有着重要的应用前景,锑化物外延......

通过第一性原理计算,系统地研究了Mn/GaAs(001)表面的各种再构和相应的局域电子态密度分布,以及表面上Mn的磁矩与各种再构间的对应......

本文对基于MEMS技术的硅纳米线的机械特性和制造方法进行了研究。通过建立硅纳米线模型和分子动力学方法模拟硅纳米线的机械弹性模......

聚合物电极膜燃料电池（PEMFC）相对于传统的内燃机有高的能量转换效率以及零污染排放（ZEV），因此PEMFC在电动车电源上的应用受到了广泛的......

由于GaAs(111)B材料具有强压电效应、高发光效率等材料特性,可以制备高性能器件,因此近年来吸引了器件应用和基础研究等方面工作者......