BN薄膜相关论文
BN和掺铝ZnO(ZAO)同为宽禁带化合物半导体材料，两者均具有特殊的光、电特性，在透明导电、发光二极管、声表面波、压敏电阻、压电等领......
采用热丝和射频等离子体辅助化学气相沉积方法(HF-PECVD),以单晶硅为衬底在低温(< 500℃)条件下沉积氮化硼(BN)薄膜材料.通过傅立......
研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2......
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼薄膜(BN).通过分析电流密度-电场强度曲线,发现BN薄膜的场发射特性与基底偏......
本文应用RF溅射法,在n型Si（100）衬底上制备BN薄膜。首次用离子注入工艺,将铍（Be）离子注入到BN薄膜中使之成为p-型。我们用范德堡方法对......
采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼（c-BN）薄膜。金刚石薄膜由拉曼光谱（Raman）及原子力显微镜（AFM）进行表......
利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.......
考虑到目前宽带硬质半导体薄膜材料制备中存在的问题,对传统的CVD方法进行改造,以新型的DBD为离子源成功构建出运行稳定的DBD-CVD......
近年来,便携式的信息通信设备被广泛应用到实际生活中,这使得电子产品向着微型化方向发展,而SAW器件是实现微型化的关键器件。另外......
