激光晶化相关论文
本文报道用气相脉冲KrF(248nm)准分子激光“图形直写”技术晶化非晶硅(a-Si)薄膜制备周期性硅晶粒结构.实验发现,大小约为2μm的硅......
硅基发光材料的制备与研究一直是人们关注的课题之一，因为这是实现硅基单片光电集成的关键和难点，迄今仍没有一个确定的解决方案[1]......
采用新型的两步激光晶化技术在玻璃衬底上制备出性能良好的多晶硅薄膜 ,并制作了多晶硅薄膜晶体管 ,其迁移率为 10 3cm2 /V·s ,开......
化学镀技术因其工艺简单、操作方便,镀层具有良好的耐磨性、耐蚀性、镀层厚度均匀性、致密度高等优良特点,在机械、航空航天、石油......
学位
对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属......
通过分析激光退火前后Ni-W-P合金镀层腐蚀前后的表面形貌、晶化程度、晶粒尺寸及在0.5 mol/L的H_2SO_4溶液中的腐蚀速率,研究合金......
为制备高质量的结晶硅薄膜,以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备非晶硅(α-Si)薄膜,然后分别通过固相晶化和激......
以单晶硅(111)为衬底,以等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜为前驱物,采用YAG激光晶化技术实现从非晶硅薄膜到纳米晶硅......
在玻璃衬底上采用PECVD法制备a-Si:H薄膜基础上,采用308nmXeCl激光器对所制备的薄膜进行了激光晶化烧结,利用XRD、Raman、SEM及电......
作为一种新兴能源载体，太阳能电池以其优秀的环保性、高效率、取之不尽等诸多优点，在军事、航天、航空等领域及民用方面得到广泛应用......
纳米硅器件是当前微电子学和纳米电子学研究的热点，并被证明在硅基光电集成的运用上具有良好的前景。纳米硅器件的研究和应用的关键......
作为微电子领域中的主角，半导体硅材料有着不可替代的地位。随着半导体工艺技术的不断发展，人们更加关注于硅基光电子集成的研究和发......
随着人类社会进入21世纪，社会的发展和科学技术的进步使人类对信息传输、处理的要求越来越高。而用光子作为信息的载体，采用光通信将......
硅基光源是实现硅基光电单片集成中最为关键的一个课题。如何获得高效、稳定的硅基发光器件是目前研究的热点问题，它的实现对于硅基......
半导体硅材料是可大规模应用于太阳能电池的首选材料，硅基太阳能电池一直是光伏产业发展的主流产品。但由于晶体硅的光学带隙为1.1e......
目前,世界能源结构中,人类主要利用的是石油、天然气、煤炭等不可再生能源,而根据目前所探明的储量和消费量计算,这些能源资料仅可......
该论文着重于SrBiTaO(SBT)层状钙钛矿铁电薄膜的制备及疲劳、保持和抗辐照能力等可靠性能的研究.这些研究对于FRAM用的SBT薄膜材料......
高效太阳电池技术是光伏业界进一步研究和发展的目标。从提高材料性能、结构优化到工艺改进等方面开展创新性的研究,有关的各......
本文提出一种新型的降低固化速率、增大多晶硅晶粒尺寸、适于以玻璃为衬底的“三脉冲激光晶化法”，用激光晶化的热动力学数值计算模......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以中频孪生非平衡磁控溅射沉积设备制备的非晶氧化钛薄膜为前驱体,采用激光晶化技术实现了从非晶氧化钛到纳米氧化钛的相变过程。......
采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸达到 1 .1 μm.分析了在不同激光功率密度下 ,由两步激光晶化方法所制备的多晶......
以射频（频率为13．6MHz）磁控溅射系统制备的非晶硅薄膜为前驱物，采用激光晶化技术实现从非晶硅薄膜到纳米晶硅薄膜的相变过程。采用拉曼......
利用准分子激光干涉结晶法使a Si∶H/a SiNx∶H多层膜中的超薄a Si∶H层定域晶化 ,成功地制备出三维有序分布的nc Si阵列。原子力......
利用KrF准分子激光退火超薄非晶硅膜,并结合热退火技术制备了单层纳米硅薄膜并研究了薄膜的场电子发射性质.在晶化形成的纳米硅薄......
采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜，其晶粒尺寸达到１．１μｍ。分析了在不同激光功率密度下，由两步激光晶化方法所制备的多晶硅薄膜的拉......
在CO2激光散光斑直径20mm的情况下,分别选择在不同功率静置的条件下辐照Fe78Si9B13非晶带实现部分晶化.用穆斯堡尔谱、X射线衍射和......
利用共焦显微喇曼光谱仪,对采用PECVD方法制备的非晶硅薄膜进行了退火晶化.晶化后薄膜的喇曼光谱表明,薄膜由非晶硅结构转变为微晶......
采用两步激光晶化技术获得了多晶硅薄膜，分析计算了激光晶化时薄膜中的温度分布及表面温度与激光功率密度的关系，利用计算结果并优化......
论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化.着重指出了各种晶化......
本文提出一种新型的降低固化速率，增大多晶硅晶粒尺寸，适于以玻璃为衬底的“三脉冲激光晶化法”，用激光晶化的热动力学数值计算模型模......
1引言多晶硅薄膜晶体管（P-SiTFT）在有源LCD和有源OLED中都有重要应用。在有源LCD中，a-SiTFT LCD目前占据绝大部分市场，尤其在大尺寸液......
为了减低非晶硅薄膜太阳能电池的光致衰减效应和提高其光电转换效率，用等离子体化学气相沉积系统制备了本征非晶硅薄膜，用波长为248n......
用XRD定量分析法研究化学沉积非晶态Ni-W-P合金激光晶化前后的显微组织特征。通过硬度测试、磨损实验、金相和SEM研究镀层的磨损行......
用XRD定量分析法并结合扫描电镜形貌观察,研究化学沉积高磷（13.3%）含量的Ni-W-P镀层在不同热处理条件下的晶化程度、晶粒尺寸及晶格......
对氢化非晶硅(a—Si：H)进行了脱氢和不同能量密度的准分子激光晶化多晶硅的实验，对所得样品用X射线衍射表征．针对多晶硅(111)面特征峰......
使用适当近似从理论上给出了共焦显微拉曼光谱仪的纵向仪器响应函数. 针对相对薄(几个μm)的样品(诸如半导体薄膜材料)给出了一个......
报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果，其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜（如非晶硅和微晶硅）为晶......
结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜......
利用等离子增强化学气相沉积系统制备了本征非晶硅薄膜,并选用488nm波长的连续激光进行晶化.采用喇曼测试技术对本征非晶硅薄膜在......
采用新型的两步激光晶化技术在玻璃补底上制备出性能良好的多晶硅薄膜，并制作了多晶硅薄膜晶体管，其迁移率为１０３ｃｍ＾２／Ｖ·ｓ，开关态电流比为１&#......
本文主要研究激光退火对镀层硬度的影响。采用Jade软件对镀层中的晶化程度、晶粒尺寸及微应变进行定量分析,利用维氏显微硬度计测......
根据热传导原理，建立了脉冲激光晶化非晶硅薄膜的理论模型。运用有限差分方法研究了不同激光波长、能量密度等因素对薄膜温度变化及......
用CO2连续激光在不同功率、相同的速度条件下辐照Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带,然后用穆斯堡尔谱详细研究材料的微观结构.研究发现......
