CdTe薄膜相关论文
碲化镉（CdTe）是所有薄膜太阳能电池吸收材料中最有前途和领先的材料。为了降低与传统Cu掺杂相关的不稳定性和器件退化的可能性,并调......
碲化镉（CdTe）是一种重要的II-VI族半导体材料,已广泛用于X射线和γ射线探测器以及薄膜太阳能电池领域。由于相同的晶体结构及晶格匹......
碲化镉(CdTe)具有良好的光电学性质和化学性质,因此成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。本论文综述了CdT......
CdTe属于II-VI族半导体化合物,具有较窄的禁带宽度(1.45 e V)、较高的光吸收系数和理论转化效率,作为吸收层材料广泛应用于太阳能......
碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池是一种以p型CdTe和n型CdS所组成的异质结为基础的薄膜太阳能电池。CdTe层作为光吸收层,其禁带宽度为1.......
采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备纯的和金属Sb掺杂的CdTe薄膜,在氩气的保护下对薄膜进行不同条件的热处理。并采用X射线衍射仪、原......
本论文采用近空间升华法制备了CdTe薄膜，并对其性能及其在量子点敏化太阳电池中的应用进行了研究。使用X-射线能谱仪(EDS)、扫描电......
本论文的研究内容系“九五”科技攻关项目——《Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池的研制》的一部分。论文以CdTe／CdS薄膜及其异......
CdTe具有良好的光电学性质和化学性质，因此成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。然而，制备高效CdTe／CdS多晶......
21世纪以来，在能源、环境问题日趋严重的形式下，我国将太阳电池的研发和推进产业化列入相应的国家计划，同时增加了对太阳电池的投入。......
对SnO2:F、ZnTe:Cu化合物半导体多晶薄膜和CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池进行电子辐照,研究辐照能量、注量对薄膜性质和器件性能的影响......
学位
采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了稀土Nd、Dy掺杂的CdTe薄膜,在氮气气氛中,分别在300℃、400℃、500℃下对薄膜进行热处理,并采用......
通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施，在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中，用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲......
采用硝酸-磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐......
真空蒸发技术制备的 Cd Te薄膜在可见光范围内的透射率很低 ,而且受材料配比和掺杂等因素的影响 .通过 Cd Te薄膜的透射光谱可计算......
采用离子注入技术对近距离升华制备的CdTe薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对CdTe薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射......
采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见......
采用双源蒸镀法制备了稀土Dy掺杂CdTe薄膜,并对薄膜的晶体学和光学性质进行了研究。结果表明,掺杂Dy使薄膜中富Te的情况更加严重,......
通过研究大面积CdTe多晶薄膜沉积的升温过程,并调节石墨群边改进加热灯管的分布获得了较均匀的温场,在混合氩氧气氛下,用自行设计......
采用共溅射法在ITo/玻璃基片上沉积CdTe掺Nd薄膜,并利用XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能.结果表明,适当Nd掺入可以改善CdTe......
用近空间升华法制备CdTe薄膜.研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构.衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整.结晶状况......
采用等离子束溅射轰击刻蚀和溴甲醇腐蚀对CdTe薄膜表面进行后处理．对比研究了2种腐蚀条件下CdTe薄膜的光谱特性．结果表明：等离子束溅......
用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外延(LPE)方法在碲锌镉(Cd1-yZnyTe, y＝0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-x......
用射频磁控溅射在普通玻璃衬底上制备CdTe薄膜。采用XRD对制备出的薄膜进行分析研究;并讨论了溅射气压、溅射功率对薄膜结晶性的影......
利用X射线衍射（XRD）和喇曼（Raman）光谱对在陶瓷基底上近距离升华（CSS）制备的纯CdTe薄膜以及稀土镝（Dy）离子5×10^14cm^-2高剂量注入的C......
采用近距离升华（Colse—Spaced—Sublimation，CSS）技术制备纯CdTe薄膜．然后通过离子注入的方法对纯CdTe薄膜进行Sb（锑）掺杂及热处理，并利......
采用热壁真空沉积的方法,在清洁的玻璃衬底上生长了不同膜厚的CdTe薄膜,对其结构和薄膜的本征吸收光学特性进行了测量分析研究.XRD......
研究了衬底材料和基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400 ℃以上薄膜结晶状况较为完整。在结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe......
用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了掺杂Sb的CdTe薄膜,薄膜为立方晶系结构,具有沿[111]晶向的择优取向.薄膜为p型呈高阻状态,在可见......
采用分子束外延在3英寸Ge（211）衬底上生长了10gm厚的CdTe（211）B薄膜。CdTe表面镜面光亮，3英寸范围厚度平均值9．72μm，偏差0.3μm；薄膜晶体......
应用真空蒸发技术制备CdTe薄膜,并借助于扫描电子显微镜(SEM)、扫描俄歇谱仪(AES)和X射线衍射仪(XRD)对其微观结构进行分析.主要研......
CdTe作为直接带隙材料,具有高吸收系数,禁带宽度约为1.46 eV,正好位于理想的太阳电池的能隙范围,仅1μm就能吸收90%以上的可见光,......
对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试,分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象.通过测......
介绍利用真空化合法合成的碲化镉(CdTe)材料制备的CdTe薄膜结构,电学,光学性能的分析研究结果.将离子注入技术引进到CdTe薄膜的改......
用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对薄膜的本征吸收光学特性进行了全面的研究分析和测量.对玻......
采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面......
采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备CdTe薄膜,并对其进行掺杂研究.样品利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计......
用一种简便的制备CdTe薄膜的方法--真空气相沉积法,在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜.在真空度为133μPa真空室中,同时蒸发Cd+Te材料,形成......
碲化镉（CdTe）因具有良好的光电性能和吸收性能经常被作为太阳电池的吸收层材料。以纯度为99.99%的CdTe陶瓷靶为靶材在玻璃衬底上采用......
Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物碲化镉（CdTe）因其具有良好的光电性质，而成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。本文概述......
本文是我一年半来硕士论文研究工作的总结，主要是对Ⅱ-Ⅵ族半导体光伏材料CdTe薄膜的制备条件及其掺杂性质进行的研究和总结。此外，......
能源是当今社会发展水平的标志，而太阳能来源无穷无尽，具有稳定性和很高的安全保障性，比其他可再生能源在技术方面有更大的潜力，充分说......
太阳能光伏技术是人类在21世纪必须掌握的核心技术之一，当今世界环境、经济和能源问题突出，而太阳能的应用是解决能源与环境问题的有......
用真空热蒸发法在玻璃衬底制备CdTe和Gd掺杂CdTe薄膜。研究热处理和Gd掺杂量对CdTe薄膜结构、光学特性的影响。结果表明,薄膜均为......
