靶中毒相关论文
从靶动力学和粒子输运导出了靶中毒的判据．建立的靶中毒模型能体现工艺参数对靶中毒的影响，从而对解决薄膜高速生长与组份匹配的矛盾......
系统地研究了射频磁控反应溅射中工艺参数对ＧｅＸＣ１－Ｘ薄膜沉积速率的影响。结果表明，当气体流量比超过某值后，沉积速率有较大的下降。沉积速率......
为了沉积高质量的硬质薄膜,避免直流反应溅射出现的靶中毒和打火现象影响薄膜质量和色彩。采用中频反应磁控技术在不锈钢基体上沉......
利用射频磁控反应溅射法 ,以 Ar,CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了 Gex C1- x薄膜 ,用干涉法测量了薄膜的厚度 ,对......
利用磁控反应溅射法,以Al为靶材,在Ar/O2气体环境中,在Si衬底上制备出了Al2O3薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。结果表明,......
从粒子的产生、输运及表面反应出发,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度.模型中都是以宏观工艺参数及反应室结构......
反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,但采用该方法制备在衬底上形成符合计量比的AlN化合物时,在靶材表面也会形成该化......
