饱和输出功率相关论文
本文设计了一款L波段250W脉冲功放.该功率放大器选用高效率高可靠性的LDMOS功放管进行设计.采用射频仿真软件ADS设计其输入输出匹......
随着无线通信系统的逐步演变和发展，人们对数据速率、信号调制方式也有了更加高的需求。通信系统变得更加庞大和复杂，因此在通信过程......
本文采用GaN器件设计了S波段的功率放大器,采用负载牵引的方法获得最佳负载阻抗值,优化最大功率输出,结果显示,在中心频率2.14GHz......
寻求频带更宽、输出功率更大、体积更小的螺旋线行波管一直是研制工作的目标,二次谐波是影响宽带行波管工作的重要因素,本文对不同......
提出了采用多电极实现电流非均匀注入来改变半导体光放大器(SOA)内部的载流子分布,从而改变其增益饱和特性的一种新的方案.用SOA分......
采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不......
根据微波晶体管的饱和输出特性和并联负反馈的宽带电路匹配方法，并采用模块化的设计方法，研制出3～6GHz微波宽带限幅放大器。该放大器......
介绍了一种宽带脉冲行波管放大器,阐述了行波管放大器的基本工作原理,分析了影响行波管输出功率的主要因素,并提出了一种切实可行......
利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件......
电源电压１．５Ｖ下，饱和输出功率为３０．０ｄＢｍ的ＨＥＭＴ据《日经》１９９５年第９－１１期报道，日本ＮＥＣ新开发的ＨＥＭＴ，在电源电压＋１．５Ｖ下，工作频率９５０ＭＨｚ时的饱和输出功率达３０．０ｄＢｍ（约１Ｗ）。可用于移动电话的功放......
新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料,具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性,在宽带功放的设计中被广泛使用。基于CRE......
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论述行波半导体激光放大器(TW—SLA)的基本原理、结构和性能,对它在光纤通信中的应用及发展前景作了较全面的分析。......
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100~250mA......
半导体光放大器(SOA)由于体积小、成本低、易与其他光电器件集成,在未来的全光通信系统中将发挥重要的作用。本文主要围绕SOA 的偏......
在理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性，并从半导体的单模速率方程出发，应用半导体光放大器的传输波动方程，推导了放大器的......
<正> 一、引言由于 GaAs FET 的基本器件结构和固有的良好线性特性,已经表明把有源元件和无源元件集成在同一晶片上,来实现在微波......
本论文是作者在华为公司实习期间,根据公司拟定的工作内容,结合学校及指导老师的要求,依据所从事的实际工作内容来撰写完成的。现......
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,......
设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配......
本文叙述了一种基于GaAs pHEMT的宽带功率放大器MMIC设计方法,实现了一款6~18 GHz的1W功放单片。测试结果显示,该功放单片小信号增......
射频功率放大器是无线发射机的核心部分,本文在传统经典射频功率放大器理论研究的基础上,采用将经典E类功率放大器的射频扼流圈看......
半导体光放大器（SOA）作为光通信领域的重要器件之一，已经得到了广泛的应用和研究。根据应用场合的不同，SOA可以分为线性应用、非线性应......
微波限幅放大器是电子侦察、电子对抗等雷达接收系统中的重要部件,存在着广泛的应用。限幅放大器把很宽动态范围内的微波输入信号......
