为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采......

使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉......

为了对横向双扩散MOSFET（LDMOS）器件所采用的锆钛酸铅（PZT）高介电常数（高K）薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺......

采用射频磁控反应溅射技术，在不同的Ar：O2条件下制备Er2O3薄膜，然后把样品分别在600、700和800℃退火60min，研究分析了Ar：O2比例和退火......

随着MOSFETs的尺寸不断缩小，二氧化硅的厚度也随之不断减小，但当其物理厚度接近1nm时会有明显的量子遂穿效应。为了避免量子遂穿，需要......

LDMOS器件具有耐压高、驱动能力强、安全工作区宽、温度特性好、易集成等优点,广泛应用于功率集成电路中。高压LDMOS器件研究的核......