高掺杂相关论文
High peak-to-valley current ratio In0.53Ga0.47As/AlAs resonant tunneling diode with a high doping em
<正>An In_(0.53)Ga_(0.47)As/AlAs resonant tunneling diode(RTD) with a high doping emitter is designed and fabricated usi......
我们采用温梯法(TGT),获得了大尺寸、高掺杂的Nd:YAG晶体.晶体掺杂浓度高达3.0 at-%,是目前所见报道中最高的掺杂浓度.......
我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方......
利用微波等离子体化学气相沉积设备在高掺杂硅衬底上沉积一层金刚石薄膜,然后采用离子注入法在金刚石薄膜中注入不同剂量的从而制......
选择性发射极及快速热扩散是前景的规模化晶体硅太阳电池生产技术.本文介绍了一种能用于丝网印刷的浆料,即用磷源及高聚物配制成高......
由于Yb:YAG晶体可实现较高浓度掺杂,这对实现固体激光器的小型化具有十分重要的意义.本文采用中频感应提拉法生长的浓度Yb:YAG和Yb......
用铒高掺杂的YAG晶体(Er:YAG)产生中心波长为2.94μm的激光输出.在理论分析的基础上,对该波长激光的输出特性进行了实验研究,探讨......
自Ikesue等人于1995年首次制备出透明陶瓷Nd：YAG激光材料以来，并实现激光输出后，透明激光材料引起了人们的极大兴趣，现已制备出很多种......
研制了InGaAs/AlGaAs SQW激光器,对其工作特性如阈值电流密度、激射波长、特征温度、远场分布等进行了研究.rn用MOCVD方法生长制备......
研究了Dy的高掺杂La0.7-xDyxSr0.3MnO3(0.40≤x≤0.70)体系的磁性,随x增加体系表现出复杂的磁化强度-温度(M-T)关系:对x=0.40的样......
采用熔盐焙烧法制备了不同掺杂浓度的Mn：MgAl2O4超细粉体,采用真空烧结法制得Mn：MgAl2O4透明陶瓷.通过扫描电镜等测试手段研究了可望......
采用热旋锻工艺制备了纳米复合W-4.5%ThO2阴极材料,为了对其抗烧蚀性能进行研究,在氩弧焊机(GTA)上与商用W-2%ThO2和W-4.5%ThO2电......
用标准的固相反应法制备了双掺杂La0.67+1.33xSr0.33-1.33xMn1-xMgxO3(x=0.00, 0.05, 0.10, 0.15, 0.20, 0.25)多晶样品, 研究了它......
硅（Si）是当今世界上最重要的材料之一，微电子和信息产业以它为基础．最近，来自法国Grenoble核研究中心的Bustarret E等发现，当高比例（百分......
采用四能级理论模型对高掺杂碲基EDFA进行了数值模拟,得出C波段和L波段EDFA的主要增益和噪声系数特性,C+L波段同时放大时,20 dB增......
光学显微系统具有三维、实时、无损的成像特点,是现代生物研究中的重要工具之一,但受衍射限制,光学显微系统的分辨率较低。近年来,......
选择性发射极太阳能电池能够降低串联电阻,增加填充因子,减少载流子在发射极内的复合,提高表面钝化效果,改善电池的短波光谱响应,......
新型激光调修技术与常规的CMOS处理方法完全兼容。用这种方法既可以调修模拟器件,也可以调修模拟和数字混合的微电子器件。该方法......
通过环氧丙烷预反应法,以乙腈为溶剂快速制备了高掺杂的氧化铜/二氧化硅复合气凝胶.在典型的合成过程中,将正硅酸甲酯(TMOS)、乙腈......
利用脉冲激光沉积方法在Al/Si衬底上生长出了高质量的n型ZnO单晶薄膜。研究并总结了以金属Al材料制备ZnO薄膜器件欧姆电极的方法。......
