搜索筛选:
搜索耗时0.8112秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 52 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：孙同年,,
来源：半导体情报 年份：1973
已采用液封技术可靠地生长磷化铟的完整单晶。晶体是在一个压力箱室中约在27个大气压惰性气氛下从被液封的溶体中拉制出的。为了生产高质量的晶体,必须控制各种生长现象:基本...
[期刊论文] 作者：Seiji Shinoyama,孙同年,,
来源：半导体情报 年份：1981
借助于缩颈工艺用液封直拉法生长了无位错非掺杂 InP 晶体,生长时需要在固-液交界面附近有一个低的温度梯度。温度梯度为55℃/cm 时,能生长在p 方向拉制的无位错晶体,其直径...
[期刊论文] 作者：韩玉杰,孙同年,,
来源：半导体情报 年份：1989
本文回顾了磁场拉晶的历史,并对磁拉Si、GaAs和InP的原理、装置、生长技术以及发展水平作了简要的描述,评价了磁拉单晶的电学、光学性能和结晶学特性,概括性地对磁拉单晶与微...
[期刊论文] 作者：孙同年,程祺祥,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
自1980年在英国召开首届半绝缘Ⅲ-Ⅴ族材料会议以来,研制适用于GaAs FET和IC的材料已取得很大的进展.半绝缘单晶材料的生长,尤其是非掺杂高纯热稳定的半绝缘GaAs单晶材料的制...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
...
[期刊论文] 作者：李玉茹,李晓岚,孙同年,孙聂枫,,
来源：半导体技术 年份：2015
在LEC-In P晶体生长过程中,孪晶的产生是一个影响In P单晶率的突出问题。生长高质量、大直径的单晶是当前In P晶体生长的发展方向,减少孪晶一直是In P单晶生长技术的研究重点...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,陈秉克,孙同年,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法...
[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,孙同年,杨瑞霞,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然...
[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,陈秉克,孙同年,
来源：第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 年份：2005
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉式技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉式技术(VCZ/PC-LEC)垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方...
[期刊论文] 作者：赵有文,陈旭东,孙同年,刘思林,杨光耀,
来源：半导体情报 年份：1995
通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较，分析了ＬＥＣ－ＩｎＰ晶体中产生孪晶的原因。实验证明，建立一个稳定合适的热场、保持Ｂ＿２Ｏ＿３的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。Through the co......
[期刊论文] 作者：赵有文,刘思林,孙同年,高书增,,
来源：半导体情报 年份：2004
介绍了在高压单晶炉内每次直接合成1000g InP的新工艺。对合成的InP进行测试表明,非掺杂InP的载流子浓度一般为3～6×10~(15)cm~(-3),迁移率4200cm~2/V.s以上,最高可达4700～4900...
[会议论文] 作者：孙聂枫,杨瑞霞,周晓龙,孙同年,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm的大直径磷化铟单晶。本文讨论了关于......
[期刊论文] 作者：梁仁和, 曾周末, 孙聂枫, 王书杰, 孙同年,,
来源：仪器仪表学报 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：李玉茹，李晓岚，孙同年，孙聂枫，LiYuru，LiXiaol,
来源：城市道桥与防洪 年份：2015
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：李玉茹,付莉杰,史艳磊,孙同年,孙聂枫,,
来源：微纳电子技术 年份：2014
介绍了国内外InP太阳电池的发展现状,对InP太阳电池的技术及其优势进行了分析。探讨了反向生长和低温键合对InP多结太阳电池质量的影响,指出其不仅可以降低位错等缺陷,提高太...
[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,孙同年,杨瑞霞,张伟玉,
来源：2006中国科协年会 年份：2006
随着InP基光电器件、微电子器件的不断成熟和市场不断增长的需求，要求衬底成本要有效的降低.生长＜100＞晶向较长磷化铟单晶的技术已成为磷化铟晶片大批量生产必须解决的关键技术.本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素......
[期刊论文] 作者：孙聂枫, 陈旭东, 赵有文, 杨光耀, 刘思林, 孙同年,,
来源：半导体情报 年份：1998
回顾了磷化铟（ＩｎＰ）晶体材料的发展过程，介绍了磷化铟材料的多种用途和优越特性，展望了磷化铟材料在我国的发展前景。...
[期刊论文] 作者：周晓龙,杨克武,杨瑞霞,孙同年,孙聂枫,,
来源：半导体技术 年份：2009
生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点。通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器...
[期刊论文] 作者：周晓龙,孙聂枫,杨瑞霞,张伟玉,孙同年,Jarasiunas,
来源：半导体学报 年份：2007
利用四波混频(FWM)技术对未掺杂双面抛光的InP晶片进行了测试分析.室温下在1064nm用时间分辨皮秒四波混频技术测试了材料的载流子的产生、复合、衰减动力学以及曝光特性等过...
相关搜索：
