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[会议论文] 作者：殷宗友,张源涛,杨小天,李万程,杨树人,杜国同,
来源：第四届全国光学学术会议 年份：2002
将用MOCVD法生长的GaN基外延片做成1mm×1mm的大芯片,对其进行特殊的封装.封装成的LED在工作电流为350mA,可视角高达125°时,轴向亮度能达到21万cd/m,输出积分功率能达到1.51...
[会议论文] 作者：史志锋[1]张源涛[2]张宝林[2]李新建[1]杜国同[2],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展...
[期刊论文] 作者：殷景志,杜国同,李宪龙,张源涛,王新强,李正庭,
来源：吉林大学学报(理学版) 年份：2002
提出一种采取倾角和张角相结合的器件结构抑制行波光放大器光激射的新方法 .实验结果表明 ,抑制效果显著 ,制作工艺简单A new method is proposed to suppress the photoex...
[期刊论文] 作者：李赜明, 余烨, 焦腾, 胡大强, 董鑫, 李万程, 张源涛,
来源：发光学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：张源涛,崔勇国,张宝林,朱慧超,李万成,常遇春,杨树人,杜国,
来源：人工晶体学报 年份：2005
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法在P型Si（100）衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下，c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上，生长所采用的锌源为二乙基锌（DEZn），氧源为氧......
[期刊论文] 作者：马艳,杜国同,杨天鹏,李万程,张源涛,刘大力,姜秀英,
来源：发光学报 年份：2004
采用MOCVD方法在c-Al2O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光(PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构及光学特性...
[期刊论文] 作者：张源涛,崔勇国,张宝林,朱慧超,李万成,常遇春,杨树人,杜国,
来源：人工晶体学报 年份：2004
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),...
[会议论文] 作者：史志锋,庄仕伟,崔夕军,伍斌,张源涛,张宝林,杜国同,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
作为一种直接宽带隙半导体材料,ZnO具有优于其它半导体材料独特的性质,其室温下带隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),因此其特别适用于制备...
[会议论文] 作者：伍斌,崔夕军,庄仕伟,史志锋,张源涛,杜国同,张宝林,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
具有纳米柱形貌的ZnO外延膜在器件领域有其独特应用.对于半导体器件,电注入是一关键问题.由于微观结构上的特殊性,这样的薄膜在电荷传输传导上将有别于传统薄膜.在本工作中,我们拟对具有纳米柱结构的ZnO外延薄膜的电学特性进行研究,对退火前后的样品进行了变温H......
[会议论文] 作者：李香萍,张宝林,张源涛,董鑫,赵旺,夏晓川,杜国同,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
本文采用光辅助MOCVD技术在(100)p-Si和蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过光致发光(PL)谱、X射线衍射(XRD)仪和霍尔(Hall)测试等对薄膜的特性进行了表征,分析比较了光辅助对薄膜特性的影响。实验发现,光照可以改善薄膜的结晶质量和光学质量,并且光辅助条件下生长......
[期刊论文] 作者：焦腾,李赜明,王谦,董鑫,张源涛,柏松,张宝林,杜国同,
来源：发光学报 年份：2020
为获得高质量的β-Ga2O3薄膜,将c面蓝宝石上生长的GaN薄膜进行高温氧化制成了Ga2O3/GaN/蓝宝石模板,进而在模板上利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺进行了β-Ga2O3薄膜的...
[期刊论文] 作者：张源涛,李万程,王金忠,杨晓天,马艳,殷宗友,杜国同,
来源：发光学报 年份：2003
采用射频(RF)反应磁控溅射法在n-Si(001)衬底上外延生长ZnO薄膜.XRD谱测量显示出较强的(002)衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的.室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射...
[期刊论文] 作者：刘杨,宋俊峰,曾毓萍,吴宾,张源涛,许呈栋,杜国同,
来源：中国激光 年份：2003
采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱 ,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果 ,制得了新型的 1 5 5 μm高功率宽光谱InGaAsP InP集成超辐射光源...
[期刊论文] 作者：张源涛,崔勇国,张宝林,朱慧超,李万成,常遇春,杨树人,杜国同,,
来源：人工晶体学报 年份：2005
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn...
[会议论文] 作者：杨小天,刘博阳,杜国同,赵佰军,张源涛,刘大力,杨树人,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓冲层的引入对(002)ZnO的衍射峰强度有着非常大的影响,并会减小薄膜内部的张应变,从而有效的提高薄膜的晶体质量.样品的光荧光(PL)......
[会议论文] 作者：刘博阳,杜国同,杨小天,赵佰军,张源涛,刘大力,杨树人,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长氧化锌薄膜过程中锌源温度对薄膜生长和质量的影响.使用X射线衍射谱(XRD)、室温光荧光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)对所生长氧化锌薄膜的晶体质量、光学特性和表面形貌进行了比较与研究.研究显示锌源温度为-19℃时所......
[期刊论文] 作者：马雪,庄仕伟,韩丽锦,胡大强,张源涛,董鑫,吴国光,张宝林,
来源：发光学报 年份：2019
通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间...
[期刊论文] 作者：张源涛,杨小天,赵佰军,刘博阳,杨天鹏,李万成,刘大力,杨树,
来源：半导体光电 年份：2004
采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1 h.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.光电子能谱(XPS)分...
[期刊论文] 作者：马艳,杜国同,杨树人,李正庭,李万成,杨天鹏,张源涛,赵佰军,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高...
[期刊论文] 作者：李香萍,张宝林,董鑫,张源涛,夏晓川,赵磊,赵旺,马艳,杜国,
来源：发光学报 年份：2008
采用光辅助金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在（0001）蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明，......
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