【摘 要】
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为解决硅基PZT厚膜在作为压电驱动元件时的MEMS兼容性问题,采用丝网印刷方法分别制作了以SiO2,Si3N4,和Pt-Ti/SiO2作为隔离层的硅基PZT厚膜样品,对烧结引起的PZT/隔离层/Si之
【机 构】
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哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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为解决硅基PZT厚膜在作为压电驱动元件时的MEMS兼容性问题,采用丝网印刷方法分别制作了以SiO2,Si3N4,和Pt-Ti/SiO2作为隔离层的硅基PZT厚膜样品,对烧结引起的PZT/隔离层/Si之间的互扩散现象,进行了显微分析和能谱仪分析,得出SiO2、Si3N4均会和PZT发生化学反应,Pb向Si中扩散严重;而Pt-Ti/SiO2能阻挡PZT和Si之间的互扩散.提出了一种新颖的双杯硅基PZT厚膜压电驱动结构,并进行了工艺研制,该结构工艺简单,MEMS兼容性好,适合作为片内驱动元件.
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