【摘 要】
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本文介绍了体硅"掩膜-无掩膜"腐蚀的工作原理;以摆片式硅微加速度计敏感芯片的制作为例详细介绍了"掩膜-无掩膜"的工艺流程;利用该方法成功制作出摆片式硅微加速度传感器的对
【机 构】
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西安微电子技术研究所,西安,710054
【出 处】
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第九届全国敏感元件与传感器学术会议
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本文介绍了体硅"掩膜-无掩膜"腐蚀的工作原理;以摆片式硅微加速度计敏感芯片的制作为例详细介绍了"掩膜-无掩膜"的工艺流程;利用该方法成功制作出摆片式硅微加速度传感器的对称梁-质量块结构.经测试该加速度计性能如下:量程±50g,分辨率3×10-3g,非线性<5×10-4,重9.6g,具有广阔的应用前景.
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