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本文介绍了一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制,该器件为P+/P/N/N+的双漂移结构,对外延层与衬底之间的过渡区宽度以及外延之间的宽度和掺杂浓度有特殊要求,通过外延工艺的改进,使得漂移区宽度以及P区和N区的掺杂浓度得到精确控制,提高了器件微波性能.
一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制
【摘 要】
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本文介绍了一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制,该器件为P+/P/N/N+的双漂移结构,对外延层与衬底之间的过渡区宽度以及外延之间的宽度和掺杂浓度有特殊要求,通过外延工艺的
【机 构】
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南京国盛电子有限公司,南京,210038
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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