SiH_4相关论文
采用ＯＭＡ－４０００测量了ＳｉＨ_４射频辉光放电等离子体的光发射谱，研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。结果表明：在放电射频功......
采用OMA - 4 0 0 0测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱 ,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。发......
本文报道用流动放电—化学发光方法测定N(~4S)原子和SiH_4分子化学反应速率常数。在293-503K范围内,其速率常数k与温度T的关系为: ......
用多重散射x_α方法(MS—x_α)和原子极化半径的概念对CH_4、SiH_4和GH_4三个分子进行了键长优化,并计算了分子的部分电离能.优化......
一、引言氮化硅薄膜具有高的电阻率、击穿强度、化学惰性等优良性能,这些性能应用在半导体器件中是很有利的。在前一阶段我们已报......
引言当前,半导体器件向更小尺寸和更浅结深发展的趋势,在实质上就是向更低温度的工艺技术方向发展.就淀积SiO_2薄膜来说,目前使用......
我们用光学发射光谱(OES)测量法研究了激光等离子体化学气相淀积(LPCVD)条件下SiH_4分解产物的光谱特性。一、引言目前国内外已利......
在B3LYP/6-311++g**、MP2/6-311++g(3df,3pd)及MP2/aug-cc-pvtz水平上分别求得H3SiH…MeHn(Me=Na,Mg,Be;n=1或2)复合物势能面上的3......
用ＭＯＣＶＤ方法生长ＧａＩｎＰ及其掺杂材料，并对Ｓｉ的掺杂行为进行了较详细的研究。采用低温度冲层技术可有效地控制高温（〉７００℃）生长ＧａＩｎＰ及其掺杂材料的组分，从而......
