Ge量子点相关论文
本文报道了微腔对Ge量子点常温光荧光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光荧光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔......
本文利用传输矩阵方法计算了1.55微米Ge量子点RCE探测器的量子效率与各种参数的关系.结果表明:合理选择上下反射镜的反射率(R1,R2)......
Photoluminescence(PL) from self-organized Ge quantum dots(QDs) with large size and low density has been investigated ove......
使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20~25nm的光致量子点(LIQD),远小于退火前的量子......
纳米线和量子点的载流子的运动分别在两个和三个方向上受到限制,展现出优异的光学性能,在纳米技术领域已成为研究的热门材料。Si纳......
纳米材料的尺度是处于原子簇与宏观物理之间的交界的过渡区域，在纳米材料中，纳米微粒具有大的比表面积，表面原子数、表面能和表面张力......
在Si基上自组装生长的Ge量子点，在光学和电学上表现出许多独特性质，利用这些性质制作的新型器件将在微电子和光电子领域发挥重要作用......
该文的研究内容分为以下两方面：1.研究了Si（001）面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si（001）6°斜切衬......
研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子......
异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容。利用超高真空化学气......
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影......
对利用超低压化学气相淀积技术在Ｓｉ上自组织生长Ｇｅ量子点的特征进行了研究，发现生长温度对Ｇｅ量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延......
采用DFTB ＋计算方法对在S （111）表面上三种不同形状的G e量子点结构（六边形岛 状量子点、条形岛状量子点以及光栅形量子点）进行结构优化......
通过调节生长参数,在Si（001）衬底表面利用分子束外延（MBE）方法生长得到尺寸小于10 nm的高密度Ge量子点.扩展的X射线吸收精细结构（EXAFS）......
用C2H5OH溶液氧化H钝化的Si表面（H-Si）得到一层氧化硅超薄膜。原子力显微镜（AFM，Atomic Force Microscope）的结果显示，氧化前后的表面均......
利用超高真空化学气相淀积设备在Si衬底上生长Ge量子点．通过3因素3水平的正交实验，研究不同的生长参数（衬底温度、GeH4气体流量、生长......
利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显......
在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一.Ge在Si上4.2%的晶格失......
研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV／CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下，得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点......
采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用 AFM和 Raman光谱......
研究了在Si衬底上自组织生长Ge岛或Ge量子点的光致发光特性.用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)观察Ge岛的大小和密度,经过......
报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔......
使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20-25nm的光致量子点（LIQD）,远小于退火前的量子点......
Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜.利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度......
在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点,由于三维量子限制效应的贡献,能够在能带结构上对Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接......
硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-xGex(0<x≤1......
在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点.采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化......
采用离子束溅射沉积的方法在Si衬底上生长Ge量子点,观察到量子点的生长随Ge原子层沉积厚度θ的增加经历了两个不同的阶段.当θ在6......
利用荧光X射线吸收精细结构（X-ray absorption fine structure，XAFS）方法研究了分子束外延生长的自组装Ge／Si（001）量子点的扩散效应．原子......
我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的......
在不同的沉积温度下采用离子束溅射技术,在Si基底上生长得到分布密度高、尺寸单模分布的圆顶形Ge量子点.研究发现:随沉积温度的升......
锗量子点（Ge QDs）和硅纳米线（SiNWs）作为半导体纳米材料,具有优异的光电特性。Ge QDs具有独特的近红外吸收特性,SiNWs具有较好的减反射......
由于零维Ge量子点独特的量子限域效应及优异的光电性能,近年来基于Ge量子点的制备及性能表征成为了研究热点。本论文围绕SiO2/Si基......
