子带间跃迁相关论文
@@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器......
通过10带k·p模型计算,设计了能够激发3μm波长的In x Ga1-x As1-y Ny/AlAs量子阱结构的量子级联激光器有源区。In x Ga1-x As1-y ......
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09......
通过薛定谔-泊松方程的自恰求解,计算了外电场对AlN/GaN耦合双量子阱中子带间跃迁吸收系数和子带间距的影响。当外电场作用在AlN/G......
量子线是一种具有很多独特量子效应的一维电子系统，应用前景十分广泛，如高电子迁移率场效应晶体管、低阈值半导体激光器、非线性光频......
太赫兹波是人们目前已知的电磁波段中最后一个待开发的空白波段，具有很大的开发应用前景。太赫兹(THz)光是指频率在0.1-10THz范围内......
红外焦平面探测器是第三代红外探测器，广泛应用于预警、制导和成像等军事领域。与传统的HgCdTe探测器相比，基于子带间跃迁(Imersubba......
半导体系统的光学和电学性质强烈地受到外加的电场和磁场影响,在外加电场和磁场作用下表现出许多有趣的物理效应和现象,并在实际光......
与GaAs基量子阱相比，GaN基量子阱具有很大的导带阶跃、超快的载流子弛豫时间。大的导带阶跃有利于在GaN基量子阱中实现光通信波段的......
相对GaAs基量子阱，GaN基量子阱具有更大的导带偏移、更大的LO声子能量和更大的电子有效质量。大的导带偏移有利于利用Al0.82In0.18N......
微腔与量子阱子带间跃迁的强耦合相互作用因其在基础研究和应用研究中重要的研究价值，近年来吸引了越来越多人的研究兴趣。为了提高......
近年来，随着GaN基低维量子结构外延技术的不断进步，AlGaN/GaN多量子阱结构子带间跃迁(ISBT)材料与光电器件逐渐成为Ⅲ族氮化物半导体......
通过10带k·p 模型计算，设计了能够激发3μm波长的InxGa1-xAs1-yNy/AlAs量子阱结构的量子级联激光器有源区。InxGa1-xAs1-yNy/AlAs ......
用薛定谔方程和泊松方程自洽计算的方法研究了Al0.75Ga0.25N/GaN对称双量子阱(DQWs)中子带间跃迁(ISBT)的波长和吸收系数对中间耦......
近日,一个来自德国、意大利和英国的研究团队成功开发出一种关键的光子组件,实现了半导体量子阱的子带间跃迁与金属腔的光子模式超......
介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理，提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs／AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案，分析了器件的性能......
利用半导体布洛赫方程，讨论了量子阱在沿其平面方向偏振的太赫兹场驱动下的光学吸收谱。研究结果揭示了半导体量子阱在沿平面方向偏......
在有效质量近似下,从理论上研究了非对称双三角量子阱的拉曼散射。推导了导带子带间电子跃迁的微分散射截面表达式,以GaAs/AlxGa1-......
用自洽计算的方法研究了极化电场对AlxGa（1-x）N／GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响．发现极化场会导致电压降的出现，从......
低维半导体大部分特征能量处于太赫兹波段，因此太赫兹场与低维半导体有很强的相互作用。低维半导体中太赫兹光吸收谱的研究是目前太......
半导体系统的光学和电学性质强烈地受到外加的电场和磁场影响，在外加电场和磁场作用下表现出许多有趣的物理效应和现象，并在实际光电......
AlxGa1-xN/GaN量子阱具有大的导带偏移、强的极化效应、大的LO声子能量和大的电子有效质量等特点。大的导带偏移有利于在AlxGa1-xN......
本文紧扣量子阱中电子跃迁特点，围绕量子阱红外探测器（QWIP）的器件物理和器件应用的研究，分析QWIP的主要物理性质和器件性能，阐述QWIP及......
量子级联激光器已被证明与传统的二极管激光器具有不同的发光原理,它是在子带间跃迁基础上的一种新型激光器。在理论上量子级联激......
ZnO作为拥有巨大发展潜力的新型光电材料,不论在材料生长、掺杂改性还是器件制备等方面都得到了诸多关注。近些年来,重稀土元素钇（Y......
