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EDK公司作为全球公认的高精度批量挤压印刷技术领导厂商,现再次领先一步,推出独具成本效益的封装解决方案。DEK已成功开发高产量的......
DEK公司针对裸晶粘著应用,成功开发出专为银环氧胶和B阶粘著剂涂敷而设的工艺。新工艺不仅能够提高产能和可重复性,而且可增强对胶......
取１４例刮宫术、人工流产胎儿，胎龄１２～４０周，对其视皮质发育进行形态学观察及厚度测量。结果发现，胎儿视皮质在发育过程中总的厚度和各层厚度均......
一、引言 所谓硅片弯曲度,就是硅片处于无夹持状态下,相对于一个理想平面单纯凹和凸的体形变。或者说把硅片放置于一平台上,并以......
瞄准国际水平 ,积极开展技术创新是上海硅材料厂发展半导体硅材料的思路和原则。去年 ,上海硅材料厂将近年自行开发成功的硅片背面......
光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法......
抛光片表面总厚度变化是衡量砷化镓抛光片表面质量的重要几何参数指标 ,对后序的器件工艺及集成电路工艺有着至关重要的影响。通过......
在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化......
磨削工艺直接影响着磨削后晶片的表面质量参数,在这些参数中,总厚度变化(TTV)是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。分析了磨削......
内圆锯切是生产硅晶片过程中非常重要的工序,不仅影响到硅晶片的质量和成本,而且还影响到后续研磨的时间,甚至影响到IC的最终产品......
大直径硅片的研磨去除量成为评价多线切割工艺水平的关键技术指标,也有利于研磨工序单位成本的降低;切片损伤层深度是决定全片研磨......
通过研究P/P＋外延片制备过程中衬底加工、背损背封、化学机械抛光、外延生长等各主要工艺对晶片总厚度变化、弯曲度、翘曲度等几何......
概述近年来,随着我国硅材料加工技术的不断发展,人们对晶片加工过程中的加工质量及检测方法已愈来愈引起重视。加工过程中的质量......
主要对分立器件硅衬底化学机械平坦化(CMP)进行了研究。首先通过正交实验方法研究活性剂、螯合剂、磨料浓度和有机碱对硅材料去除......
