电导调制效应相关论文
逆阻型集成门极换流晶闸管（RB-IGCT）的结构特点,通过结构分析,分别从提高阻断特性、通态特性、开关特性及损耗特性方面进行了设计优......
随着轨道交通、电动汽车、脉冲功率和超高压直流输电等技术的不断进步,电力电子系统对大功率半导体开关器件的需求十分紧迫。依托......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一.现有测量IGBT静态输出曲线的......
仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其“折回效应”现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(......
提出一种改进的PIN二极管子电路模型。该模型能够反映PIN二极管的瞬态开关特性,将基区电导调制效应考虑在内。通过Pspice软件瞬态......
摘要：结合电力电子技术中电力二极管结构，分析了电力二极管的电容效应、结电容对频率的影响、线性等效电路，同时对教材上容易忽视的几......
该文全面系统地分析了IGBT的工作机理,在此基础上建立了基于PIN二极管理论的IGBT二维准数值分析模型和IGBT的等效电路模型.在等效......
绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）是一种新型的电力电子器件，它综合了MOSFET和BJT两者的优点，具有近似最优的......
采用电镀方法和直接刷涂的方法在钨针衬底和硅衬底上沉积高压合成的金刚石粉末形成冷阴极。将这种冷阴极与荧光阳极组成真空二极管......
本文对用IGBT代替MOSFET的可行性进行了分析。...
GaN功率开关器件因为其耐高温、耐高压、高功率容量和高频的特点在未来商用和军用市场有着巨大的应用潜力。增强型技术是当前研究G......
为拓宽硅基肖特基整流器在中高压和大功率器件领域的应用市场,新型的肖特基整流器(即结势垒肖特基整流器或混合pin/肖特基整流器,......
