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碳纳米管因其各方面优异的性能,已被应用到多个领域。例如单壁碳纳米管具有高的载流子迁移率、较长的平均自由程而被广泛用到集成......
介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov (L......
利用Suzuki偶联反应合成了3种侧链含有不同电子受体的可溶性D-A型聚咔唑衍生物：聚[（9-（2-己基葵基）-9 H-咔唑）-（9-（4-硝基苯基）-9 H-咔唑）]（P......
目前,信息产业是国家和地方经济的支柱,而集成电路是信息产业发展的基石和核心。在大规模集成电路中广泛使用的是硅基金属-氧化物-......
在Si/SiO2衬底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制备器件介电层的修饰层,改善介电层界面质量并诱导有源层生长,从而提高有源层的结晶......
4石墨烯的应用尽管纳米管具有许多独特的优点,但石墨烯与其相比具有无可比拟的优势,如在制作复杂电路时若采用纳米管,则必须经过仔......
研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响．实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理使ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升......
<正>4 β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导......
采用单靶磁控溅射法制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)......
有机薄膜晶体管（OTFT）具有材料来源广泛、可用于柔性衬底和大规模生产以及生产工艺简单等优点,在有机逻辑功能电路、OLED显示技术等......
非晶铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)具有迁移率高、均一性好等特点,并且在可见光区有较高的光透过率,有望实现全透......
透明薄膜晶体管(TFT)是广泛应用在平板显示和透明电路等领域的电子器件。随着大尺寸液晶显示器和有源有机发光二极管的发展,硅基TF......
使用聚酰亚胺(PI)作为柔性有机薄膜晶体管(OTFT)的衬底,通过掺入钛酸锶钡(BST)纳米颗粒来提高PVP聚合物栅介电层的电容,再使用聚甲......
