漏极电流相关论文
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5×6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已......
随着人工智能时代的到来,半导体芯片技术的发展越来越迅速,模拟集成电路的地位也越来越重要,国家对集成电路的支持力度也在迅速增......
随着电子技术的发展,FET已广泛地得到应用。但是由于增强型MOSFET参数不足,给电路分析带来困难。本文对增强型MOSFET的饱和漏极电......
通过控制微波功率场效应管的漏极电流可以实现脉冲调制，具有通断比高、脉冲上升/下降沿陡峭的特点，能够有效地提高功率放大器的效率......
在半导体器件中,闪存存储器已经渗透到我们生活的各个方面。然而随着器件尺寸的持续减小,闪存存储器自身存在的一种缺陷——随机电......
分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数,设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管,并进行了仿真研......
本文介绍一款用大电流型MOS-FET2SK2554作输出管的直流功率放大器.该类大电流型场效应管原来是用于工业用机器人电机控制的开关器......
N沟道MOSFET概述N沟道MOSFET有三个电极,分别是源极S、漏极D和栅极G.当VGS=0时,漏、源极之间无原始导电沟道,Io=0;当VGS＞0但是比较......
本文研究了一种倒掺杂沟道MOSFET。与传统的MOSFETs不同,这种器件采用沟道表面掺杂浓度低、体内掺杂浓度高的倒掺杂设计。基于Poss......
近日，英飞凌科技股份公司推出一种创新型封装技术，为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更......
设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管（FFET）,并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电......
离子敏感场效应晶体管(简称ISFET)是一种用于测量溶液中离子活度的新型电化学敏感器件。一般地说,它是一种栅极被固态离子选择性......
真空管由于存在空间电荷传输滞后特性,放大器具有特殊的音色,温暧柔和,尤其是重放人声,表现的醇美剔透,耐人回味无穷,尤以表现人声......
基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模......
场效应管（FET）因为通过它的电流只能是空穴电流或电子电流的一种，故又称为单极性器件。又因为流经该器件的电流受控于外加电压所形成......
碳化硅(SiC)可以说是半导体中最老的化合物半导体,长期以来被用作避雷器及可变电阻材料。由于它的禁带宽度大以及通过掺杂可容易......
本文介绍 MOS 型场效应晶体管的特点,电流方程及场效应晶体管推挽压控振荡器的设计计算,并且讨论该振荡器易实现宽波段的特性。文......
早期红外技术主要应用于科学和军事方面,但随着价廉的红外探测器、传感器的问世,在民用方面的应用也日趋广泛。本文主要介绍红外传......
根据带隙基准电压源的原理，基于CSMC0．5μm工艺设计了一种高精度二阶曲率补偿带隙基准电压源。利用MOS管工作在亚闽值区时漏电流和栅......
功率管保护是通过将其操作限制在SOA的有限V-I平面(plane)区域内,保护电路通常采用返送(foldback)电流限制,但这种方法无法复制SOA......
<正>4 β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导......
<正> VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动......
<正> 改善音频放大器的音质涉及到很多方面,抑制噪声的影响和减小过渡失真是其中的两个重要方法。抑制噪声包括如何防止外部噪声的......
<正>康佳LC-TM2018液晶彩电,电源采用N901(ICE3DS01)方案电源,是液晶电视外置电源。该电源无PFC(功率因素校正)电路,只有一组由驱......
<正>康佳LC—TM2018液晶彩电电源采用N901(1CE3DS01)方案电源,是液晶电视外置电源。该电源无PFC(功率因素校正)电路,只有一组由驱......
<正> 在目前的中学物理实验教学中,判断一个物体是否带电,通常都是利用验电器来验证。笔者制作的"电子验电器"具有灵敏度高、可视......
在线座谈(Online Seminar)是中电网于2000年推出的创新服务,通过"视频演示+专家解说+在线问答"三位一体相结合的形式,充分发挥网络......
<正> 一、场效应管的特征及优缺点场效应管,简称为FET,它是在垂直于载流子的流动方向上,加上一横向电场,以调节电流大小的一类晶体......
<正> 直流放大器的音质主要取决于放大器件,为了使音质有所改善具有鲜明的个性,决定将整个放大器用同一种放大器件构成,于是乎选择......
<正> 超大电流(UHC)MOS场效应管是一种漏极电流可达50～100A、栅源电压与漏极电流呈线性的功率放大器件。用它作为功率放大器的输出......
<正> 最近,国外介绍了两种金属氧化物半导体场效应晶体三极管,其型号为MTM15N35和MTM15N40,其输出功率可达250瓦.这种双扩散、N沟......
当使用分立的JFET时,设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程,作为JFET漏极电流......
通过SILCAVO软件仿真了铁电场效应晶体管漏极电流L特性。在研究了单层栅极的结构铁电场效应管的Id与铁电参数（ε,Ec，Pr，Ps／Pr）的关系基......
